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BZB84-C13,215 发布时间 时间:2025/9/14 13:18:15 查看 阅读:5

BZB84-C13,215 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和限压保护电路。该器件封装在SOD-123小型表面贴装封装中,具有紧凑的体积和优良的电气性能,适用于需要精确电压参考和稳定输出电压的应用场景。齐纳击穿电压为13V,允许在一定的电流范围内维持稳定的电压,从而保护电路中的其他元件免受过电压的影响。BZB84-C13,215广泛应用于电源管理、模拟电路、电池供电设备以及各种消费类电子产品中。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-123
  齐纳电压(Vz):13V
  最大齐纳电流(Izmax):200mA
  最大功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  标称功率耗散:300mW
  最大反向漏电流(Ir):100nA(@ Vr=10V)

特性

BZB84-C13,215 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度稳定性,能够在宽温度范围内保持恒定的击穿电压。其低动态阻抗特性有助于在负载变化时维持稳定的输出电压,提高系统的可靠性。该器件的快速响应时间使其能够有效应对瞬态过电压事件,提供可靠的电路保护。此外,其SOD-123封装形式适合表面贴装工艺,符合现代电子制造中对小型化和高集成度的需求。该齐纳二极管还具有良好的焊接性能和机械强度,适合自动化生产流程。器件的电气参数经过严格测试,确保在各种工作条件下都能保持稳定性能。

应用

BZB84-C13,215 主要应用于需要电压参考和限压保护的电路中,例如开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、稳压电路、模拟信号调节电路以及各种嵌入式系统和消费类电子产品。它也常用于保护敏感的电子元件免受静电放电(ESD)或电压瞬变的损害。此外,该器件可用于电压检测电路、基准电压源、过电压保护电路以及传感器信号调理电路等场合。

替代型号

BZB84-C13-7-F, BZB84-C13-S-7-F, BZB84-C13-TR

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BZB84-C13,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)13V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大300mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)30 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934061698215