时间：2025/9/3 2:55:36
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3N173是一款早期的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关和放大电路中。这款器件由国际整流器公司（International Rectifier，现属于Infineon Technologies）制造，适用于中等功率水平的电源转换和控制应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：1A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约1.8Ω（典型值）
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-72或TO-92（根据具体制造商）
3N173具有典型的MOSFET特性，包括高输入阻抗、低驱动功率需求和良好的热稳定性。其N沟道结构在导通状态下提供较低的电阻，有助于减少功率损耗和发热。该器件在设计上采用了增强型栅极结构，使其在零栅极电压时保持关闭状态，从而提高了电路的可靠性。此外，3N173的封装形式通常适用于通孔安装，能够在多种电路板设计中灵活应用。由于其额定电压和电流适中，3N173适用于如DC-DC转换器、电机控制和开关电源等应用场景。
需要注意的是，随着半导体技术的不断进步，3N173作为一款早期的功率MOSFET，已经被许多性能更优越的新型器件所取代。因此，在设计新电路时，建议考虑具有更低导通电阻和更高效率的现代替代型号。
3N173主要应用于中等功率水平的电子设备中，例如用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路和功率放大器。此外，它也常用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理和开关控制功能。
2N6756, IRF510, BUZ11
