型号：UT90N03G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8（带EP）
　　包装：卷带编装，工业标准
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：90A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：360A
　　漏源导通电阻RDS(on)：3.2mΩ（@ VGS=10V, ID=45A）
　　漏源导通电阻RDS(on)：4.5mΩ（@ VGS=4.5V, ID=30A）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V（@ ID=1mA）
　　栅极电荷Qg：75nC（@ VDS=15V, ID=45A, VGS=10V）
　　输入电容Ciss：3400pF（@ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：920pF（@ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　反向恢复时间trr：28ns（@ IF=45A, dI/dt=100A/μs）
　　工作温度范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃

UT90N03G-TN3-R采用高性能沟槽工艺制造，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著减少导通损耗，提升系统能效。例如，在同步整流或电池供电系统中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，从而延长设备运行时间和电池寿命。该器件在VGS=10V下的典型RDS(on)仅为3.2mΩ，即便在VGS=4.5V的低压驱动条件下仍可保持4.5mΩ的低阻状态，兼容3.3V和5V逻辑电平控制，适用于多种驱动电路设计。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg=75nC）和输出电容（Coss=920pF），能够在高频开关环境中快速开启与关断，减少开关延迟和交叉导通风险，适用于高频DC-DC转换器、开关电源（SMPS）及PWM电机控制等应用。同时，较低的输入电容也有助于降低驱动电路的功耗，减轻控制器负担。
　　器件采用SOP-8 EP封装，底部带有裸露焊盘（Exposed Pad），可通过PCB接地实现高效散热，极大提升了热传导能力。即使在高功率密度环境下，也能维持较低的结温，确保长期稳定运行。此外，该封装符合工业标准，便于自动化贴片生产，适合大规模量产应用。
　　UT90N03G-TN3-R具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），在感性负载切换过程中可有效抑制电压尖峰，保护主开关元件。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）使其可在严苛环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子外围模块及便携式电源设备等领域。
　　该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在各种应用场景下具备长期稳定性和耐用性。同时，其无铅、无卤素设计满足现代环保法规要求，支持绿色制造流程。

UT90N03G-TN3-R广泛应用于需要高效能、低损耗功率开关的电子系统中。常见应用包括同步整流式开关电源，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC降压变换器中，作为下管或上管使用，利用其低导通电阻特性显著提升转换效率。此外，在电池管理系统（BMS）和电动工具、无人机等便携式设备中，该器件可用于电池充放电控制和负载开关，提供快速响应和低静态功耗。
　　在电机驱动领域，UT90N03G-TN3-R可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现平稳调速和精准控制。在服务器电源、通信电源模块中，该MOSFET也常用于VRM（电压调节模块）设计，满足CPU或GPU对动态负载响应的高要求。
　　由于其良好的热性能和紧凑封装，该器件特别适合空间受限但功率密度要求较高的应用场景，如笔记本电脑电源管理单元、LED驱动电源、USB PD快充适配器等。同时，也可用于热插拔控制器、电源多路复用器和过流保护电路中，作为主控开关使用，实现安全可靠的电源通断控制。

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　　 "AOZ13875PI",
　　 "IRLHS3036",
　　 "SiSS112DN-T1-GE3",
　　 "FDMS7680",
　　 "CSD18540Q5",
　　 "FDMC8878"
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