时间：2025/5/29 20:26:41
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PDD89828B是一种高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合高频开关应用。
它采用TO-252封装形式，具备出色的热性能表现，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：22nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃至150℃
PDD89828B采用了先进的工艺技术制造，拥有较低的导通电阻，从而减少了传导损耗。
其高击穿电压确保了在各种应用场景中的稳定性与可靠性。
此外，该器件具备非常小的栅极电荷，有助于实现更高的开关频率和更高效的能源转换。
PDD89828B还优化了热阻性能，使其能够在较高功率密度下长期稳定运行。
最后，其紧凑的封装形式简化了PCB布局设计，并节约了空间资源。
PDD89828B适用于多种电子设备领域，包括但不限于以下：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器或主开关管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载切换及保护电路中的关键组件。
5. 充电器、适配器以及LED照明系统的功率管理部分。
IRLZ44N
AO3400
FDP5500
