时间：2025/6/10 16:22:22
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2N7002-R2 是一种 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），属于小型信号 MOSFET，广泛应用于模拟和数字电路中。该器件的封装形式通常为 SOT-23，具有小体积、低功耗的特点。2N7002-R2 的设计使其非常适合用作开关或放大应用，在便携式设备、电源管理以及各种消费类电子产品中非常常见。
该型号继承了 2N7002 系列的核心特性，并通过优化进一步提升了性能与可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：200mA
脉冲漏极电流：1.1A
输入电容：14pF
导通电阻（Rds(on)）：2.9Ω（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002-R2 具有以下主要特性：
1. 小尺寸封装（SOT-23），适合高密度 PCB 布局。
2. 极低的输入电荷，有助于实现快速开关操作。
3. 较低的导通电阻，减少功率损耗。
4. 高开关速度，适用于高频应用场景。
5. 提供良好的电气隔离，减少干扰。
6. 工作温度范围宽广，适应多种环境条件。
此外，该器件还具备较高的可靠性和稳定性，能够在严苛条件下长期运行。
2N7002-R2 可用于以下典型应用：
1. 开关电源中的同步整流。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. 数字逻辑缓冲器和驱动器。
5. 信号放大及电平转换。
6. 通信设备中的射频开关。
7. 消费电子产品的音频和视频控制电路。
其卓越的性能和灵活性使其成为许多工程师设计中的首选元件。
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