时间：2025/12/27 8:36:52
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UT75N03L-TM3-T是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司生产的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的氮化镓技术，相较于传统的硅基MOSFET，具备更低的导通电阻、更快的开关速度以及更低的栅极和输出电荷，从而显著提升系统能效并减小整体电源系统的体积与重量。UT75N03L-TM3-T的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达75A，适用于如服务器电源、电信整流器、电动车辆充电系统、DC-DC变换器以及太阳能逆变器等高功率密度应用场景。该器件封装于低寄生电感的TOLL（TO-263-8L）封装中，增强了热性能与电气性能，便于在高频率下稳定运行。此外，其内置的快速体二极管支持硬开关与高频软开关拓扑，例如图腾柱PFC和LLC谐振转换器，进一步提升了系统设计的灵活性与效率。由于其出色的动态性能，该器件有助于减少散热需求，提高功率密度，并降低总体系统成本。
型号：UT75N03L-TM3-T
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
材料：GaN-on-Si（氮化镓在硅上）
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：-8V ~ +7V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：75A
脉冲漏极电流（IDM）：240A
导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ
阈值电压（Vth）：典型值2.0V
输入电容（Ciss）：典型值3800pF
输出电容（Coss）：典型值1150pF
反向恢复电荷（Qrr）：0C
栅极电荷（Qg）：典型值45nC
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
封装类型：TOLL（TO-263-8L）
安装方式：表面贴装（SMD）
UT75N03L-TM3-T的核心优势在于其基于氮化镓材料的半导体结构，这使得它在高频开关应用中表现卓越。相比传统硅MOSFET，氮化镓器件具有更宽的禁带宽度和更高的电子迁移率，从而实现更低的导通损耗和开关损耗。该器件的导通电阻仅为3.3mΩ，在100V耐压等级下处于行业领先水平，能够有效降低传导过程中的I2R损耗，提升整体能效。同时，其极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）使其在MHz级别的高频开关环境中仍能保持高效运行，大幅减小磁性元件的尺寸，进而实现更高功率密度的电源设计。
该器件采用增强型（e-mode）设计，即常关型结构，确保在栅极为零电压时器件处于关闭状态，提高了系统安全性与可靠性，简化了驱动电路的设计难度，可直接与标准硅MOSFET驱动器兼容。此外，UT75N03L-TM3-T具备极快的开关速度，上升与下降时间均在纳秒级别，极大减少了开关过渡过程中的能量损耗。这种高速开关能力特别适用于图腾柱无桥PFC电路，其中传统硅器件因反向恢复问题导致效率受限，而UT75N03L-TM3-T由于体二极管反向恢复电荷几乎为零（Qrr ≈ 0），彻底消除了反向恢复损耗，显著提升PFC级效率。
TOLL封装不仅提供了良好的散热路径，还通过优化引脚布局降低了封装寄生电感，这对于高频开关尤为重要，因为过高的寄生电感可能导致电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题。该封装支持双面冷却设计，进一步增强了热管理能力。此外，器件的工作结温可达+150°C，具备良好的热稳定性，适合在高温工业或车载环境中长期运行。综合来看，UT75N03L-TM3-T凭借其低损耗、高频率响应、高可靠性和易用性，成为下一代高效电源系统的关键器件之一。
UT75N03L-TM3-T广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。其主要应用场景包括数据中心和服务器电源，其中图腾柱PFC架构正逐步取代传统升压PFC以实现超过99%的转换效率。在电信电源系统中，该器件可用于48V转12V的中间母线转换器（IBC），支持高频率操作以缩小变压器和电感体积。在可再生能源领域，太阳能微逆变器和储能系统中的DC-AC逆变器可利用该器件实现轻量化和高效率设计。此外，电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中的高频DC-DC转换模块也大量采用此类氮化镓器件，以满足紧凑空间内的高功率传输需求。工业电机驱动、高端计算设备电源以及高端音频放大器电源模块同样是其重要应用方向。得益于其优异的动态性能和热稳定性，UT75N03L-TM3-T特别适合用于需要持续高负载运行且对散热空间有限制的场合。
GaN Systems GS-065-011-1-L；Navitas NV6248；Power Integrations SC1928C；Transphorm TPH3205WSBQA
