时间：2025/12/27 8:33:05
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UT7400L-AE3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现已被Qorvo收购）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）场效应晶体管（FET）器件。该器件采用先进的氮化镓技术，相较于传统的硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和功率密度方面具有显著优势。UT7400L-AE3-R属于低栅极电荷、高效率的功率开关器件，适用于高频、高效率的电源转换应用。其设计旨在提升系统能效，同时减小整体电源系统的体积与重量。该器件通常用于工业电源、数据中心服务器电源、电信设备、可再生能源逆变器以及电动汽车充电基础设施等对效率和功率密度要求较高的领域。UT7400L-AE3-R采用标准表面贴装封装（如DFN8x8），便于在现代PCB上进行自动化装配，并具备良好的热性能，支持高功率密度设计。此外，该器件具有较低的反向恢复电荷（Qrr），能够显著减少开关损耗，尤其适合在图腾柱PFC、LLC谐振转换器、硬开关和软开关拓扑中使用。
型号：UT7400L-AE3-R
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：750 V
连续漏极电流（ID）：12 A
脉冲漏极电流（IDM）：48 A
导通电阻（RDS(on)）：75 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5 V（典型值）
最大栅源电压（VGS(max)）：+6 V / -4 V
输入电容（Ciss）：2400 pF
输出电容（Coss）：450 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN 8x8 mm
安装类型：表面贴装
UT7400L-AE3-R的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的先进功率器件结构。与传统硅MOSFET相比，GaN器件具有更宽的禁带宽度和更高的电子迁移率，这使得UT7400L-AE3-R能够在更高的频率下运行，同时保持极低的导通和开关损耗。该器件为增强型（常关型）设计，提高了系统安全性，简化了驱动电路的设计复杂度，无需负压关断，兼容标准硅基MOSFET驱动器。其75 mΩ的低导通电阻有效降低了导通期间的功率损耗，提升了整体系统效率，特别适合大电流应用场景。
该器件的栅极电荷（Qg）非常低，意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减少了驱动损耗并允许使用更小的驱动IC。此外，由于GaN FET本身不具备传统PN结体二极管，因此在反向恢复过程中几乎不产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），极大抑制了由反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性并简化了EMI滤波设计。这一特性使其在图腾柱无桥PFC等高效拓扑中表现出色。
UT7400L-AE3-R采用DFN8x8封装，具有优异的热传导性能，底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB，实现高效散热。该封装还优化了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压过冲和振铃现象，提升器件在高速开关下的稳定性。器件支持高达150°C的最大结温，确保在高温环境下仍能可靠运行。此外，该产品通过了严格的可靠性测试，符合AEC-Q101等汽车级标准，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
UT7400L-AE3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统中。其主要应用场景包括但不限于：数据中心和服务器电源系统中的图腾柱无桥功率因数校正（PFC）电路，这类应用要求极高效率和高功率密度，而UT7400L-AE3-R的低RDS(on)和零Qrr特性恰好满足这些需求；在LLC或CLLC谐振转换器中，该器件可用于主开关管，利用其快速开关能力降低开关损耗，提高转换效率；在太阳能光伏逆变器和储能系统中，UT7400L-AE3-R可用于DC-AC逆变级或DC-DC升压级，提升整体系统能效并缩小系统体积；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可作为关键开关元件，支持高功率密度和高可靠性设计；此外，该器件也适用于高端工业电源、5G通信基站电源模块、高端UPS不间断电源以及高密度适配器等对效率和空间要求极为严格的应用场景。凭借其卓越的电气性能和可靠的封装设计，UT7400L-AE3-R成为现代高效电源系统中的理想选择。
UCC94080
GS-065B25L-S
