UGF09085F 时间：2025/9/11 7:55:41 阅读：10

UGF09085F是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源开关以及电机控制等场合。UGF09085F的封装形式为SOP（小外形封装），便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP

特性

UGF09085F采用了东芝先进的沟槽型MOSFET技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其8.5mΩ的RDS(on)在10V栅极驱动电压下表现优异，能够显著减少发热，提高整体电源转换效率。此外，该器件具有高达60A的连续漏极电流能力，使其能够胜任高功率密度的设计需求。
　　在封装方面，UGF09085F采用SOP封装，具备良好的热管理和空间利用率，适合在空间受限的设计中使用。其封装材料符合RoHS环保标准，且具备良好的耐久性和可靠性，能够在严苛的工业环境下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的12V和10V驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。此外，UGF09085F具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的稳定性和抗故障能力。

应用

UGF09085F广泛应用于各类高效率电源系统中，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动自行车、工业自动化设备以及电机驱动控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率与高可靠性的电源开关和负载管理场景。
　　在服务器电源、通信电源、储能系统以及新能源设备中，UGF09085F可作为主功率开关或同步整流器使用，显著提升系统效率和功率密度。此外，该MOSFET也可用于高边和低边开关应用，支持多种拓扑结构，如Buck、Boost、Half-Bridge等，适应性极强。