CC0201BRNPO9BN4R3 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷芯片电容器。该型号属于 GRM 系列,广泛应用于需要高可靠性和稳定性的电路中。这款电容器采用了先进的多层陶瓷技术,具有小体积、高容量以及低等效串联电阻(ESR)的特点,非常适合用于滤波、耦合和去耦等应用。
电容值:4.7nF
额定电压:6.3V
封装尺寸:0201英寸(公制 0603)
公差:±5%
温度特性:C0G(NP0)
直流偏置特性:低
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
CC0201BRNPO9BN4R3 的主要特性包括:
1. 高可靠性:采用 C0G(NP0)介质材料,具有优异的温度稳定性和耐久性。
2. 小型化设计:0201 英寸封装使其适合紧凑型设计。
3. 稳定的电气性能:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电容值。
4. 耐焊接热冲击:经过严格测试,确保在回流焊过程中不损坏。
5. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
该型号电容器适用于多种电子设备,特别是在高频电路和对稳定性要求较高的场景中表现突出。典型应用包括:
1. 滤波器设计:用于射频和音频电路中的信号滤波。
2. 去耦电容:为电源线提供高频噪声抑制。
3. 耦合电容:在放大器级之间传递信号。
4. 振荡电路:作为定时元件或频率调节元件。
5. 医疗设备、工业控制和通信模块等高可靠性领域。
CC0201CQNPO9BN4R3
CC0201BQNPO9BN4R3
GRM155C80J4R7L