型号：UT40N04
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, ID=20A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：2200pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UT40N04采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），这使得其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为18mΩ，意味着在通过较大负载电流时产生的热量更少，有助于减少对散热结构的依赖，尤其适用于紧凑型高密度电源设计。此外，低RDS(on)也提升了电池供电设备的能量利用率，延长了续航时间。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，能够实现高频开关操作而不产生过多的开关损耗。这对于现代开关电源、同步整流电路以及DC-DC变换器尤为重要。高频工作不仅允许使用更小的外围元件（如电感和电容），还能缩小整个电源模块的体积，满足便携式电子产品对小型化的要求。
　　UT40N04具备良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），可在恶劣环境中可靠运行。其最大结温高达175°C，提供了足够的安全裕度，防止因局部过热导致器件失效。同时，该器件内置一定的抗雪崩能量承受能力，在遭遇电压突变或感性负载关断时可有效抑制击穿风险，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET的阈值电压适中（2.0V~3.0V），可兼容3.3V和5V逻辑电平驱动信号，适用于多种控制IC直接驱动，无需额外的电平转换电路。这一特性简化了驱动设计，降低了系统成本。此外，UT40N04在封装上采用TO-220或TO-252等标准化外形，具备良好的散热性能和焊接兼容性，便于自动化生产和维修更换。综合来看，UT40N04是一款性能均衡、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种中等功率开关应用。

UT40N04广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关管或同步整流器，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，降低温升。特别是在降压型（Buck）和升压型（Boost）DC-DC转换器中，该器件能够处理高达40A的连续电流，适用于中等功率级别的电压调节模块。
　　在电机驱动领域，UT40N04可用于H桥电路中的上下桥臂开关元件，驱动直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够精确控制电机启停、正反转及调速功能，适用于电动工具、家用电器和小型工业设备中的驱动模块。
　　该器件也被广泛用于电池管理系统（BMS）和电源切换电路中，作为充放电通路的控制开关。其低导通压降有助于减少能量损耗，提升电池使用效率，同时具备一定的过流耐受能力，可在短时过载情况下维持正常工作。
　　在LED照明驱动电源中，UT40N04可用作恒流源的开关元件，配合PWM调光控制实现亮度调节。其稳定的电气参数保证了输出电流的一致性，提高了照明质量。
　　此外，UT40N04还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，承担核心功率切换任务。由于其具备较强的环境适应性和长期运行稳定性，也被应用于工业自动化控制系统、汽车电子附件（如风扇、泵类负载控制）等场景。总之，凡是需要高效率、高可靠性N沟道MOSFET的低压大电流开关应用，UT40N04都是一个理想的选择。

AP40N04GP-HF
　　SI4404DY-T1-GE3
　　FQP40N04L