时间：2025/8/6 13:13:41
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IXFN48N50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和高功率放大器等高电压高电流场合。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在高温和高可靠性要求的环境下工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：48A
最大漏-源电压（VDS）：500V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω（典型值）
最大功耗（PD）：310W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXFN48N50是一款高性能的功率MOSFET，具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其导通电阻RDS(on)非常低，典型值仅为0.125Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的漏极电流额定值高达48A，具备良好的电流承载能力，适合用于高功率应用。此外，IXFN48N50的漏-源电压额定值为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关应用。该器件还具有良好的热稳定性，采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，有助于在高温环境下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽，可在±20V范围内安全工作，提高了设计的灵活性。IXFN48N50的结构设计优化了开关性能，具有较低的开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器应用。同时，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业级和汽车电子系统。综合来看，IXFN48N50是一款适用于多种高功率应用场景的高性能MOSFET，具备低导通损耗、高电流和高电压能力，以及良好的热管理性能。
IXFN48N50广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动和逆变器等。在工业自动化系统中，该器件常用于高功率负载的开关控制；在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXFN48N50可用于高效能量转换。此外，它还适用于高功率音频放大器和电子负载测试设备。由于其高可靠性和良好的热性能，IXFN48N50也适用于需要长期稳定运行的工业和汽车电子系统。
IXFN48N50P, IXFN44N50V, IRFP460LC
