NTS260SFT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沣道硅晶体管。该晶体管采用 SOT-23 封装,具有小尺寸和高效率的特点,广泛用于各种开关和放大电路中。
该晶体管属于 NPN 类型,适用于低电压、低功耗的应用场景。由于其出色的电气性能和可靠性,NTS260SFT1G 在消费电子、工业控制以及通信设备等领域得到了广泛应用。
集电极-发射极击穿电压:30V
集电极最大连续电流:200mA
直流电流增益(hFE):100 至 300
集电极-发射极饱和电压:200mV
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
NTS260SFT1G 具有以下显著特性:
1. 高增益:直流电流增益范围为 100 至 300,确保了信号放大的精确性。
2. 小封装:采用 SOT-23 封装,节省空间,适合紧凑型设计。
3. 低饱和电压:仅 200mV 的集电极-发射极饱和电压,降低了功率损耗。
4. 宽温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内稳定工作,适应多种环境条件。
5. 可靠性高:经过严格的质量测试,具备良好的长期稳定性。
NTS260SFT1G 广泛应用于以下领域:
1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、音频设备中的开关和放大电路。
2. 工业自动化:用作传感器接口、电机驱动和信号调理电路中的关键元件。
3. 通信设备:在无线模块、路由器和其他通信设备中作为信号处理元件。
4. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、LDO 稳压器等电路中的开关器件。
5. 计算机外设:打印机、扫描仪等设备中的控制电路元件。
BC847B, MMBT2222A