型号：UT40N03TG-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：40A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（max）@ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.0mΩ（max）@ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2200pF（typ）
　　输出电容（Coss）：600pF（typ）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（typ）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）

UT40N03TG-TN3-R采用了先进的沟槽型场效应晶体管结构，使其在低电压大电流的应用场景中表现出卓越的性能。其最大漏源电压为30V，适合用于3.3V至24V的电源系统中，如同步整流、电池供电设备和低压DC-DC变换器等。该器件的关键优势之一是其极低的导通电阻，在Vgs=10V条件下，Rds(on)最大仅为4.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率。同时，在Vgs=4.5V时仍能保持6.0mΩ以下的Rds(on)，表明其在逻辑电平驱动条件下也能稳定工作，兼容大多数PWM控制器的输出驱动能力。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，输入电容Ciss典型值为2200pF，输出电容Coss为600pF，反向传输电容Crss为100pF，这些参数有助于实现快速的开关响应，并降低开关过程中的动态损耗。开启延迟时间约为15ns，关断延迟时间为30ns，适合高频操作环境，可应用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。此外，器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够有效应对瞬态过压冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　热性能方面，UT40N03TG-TN3-R采用TO-252封装，具备较大的散热焊盘，可通过PCB上的铜箔进行有效散热，确保长时间高负载运行下的热稳定性。其最大功耗可达125W（在壳温25℃时），结温范围从-55℃到+150℃，适应严苛的工作环境。栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，保证了器件在不同温度条件下的可靠触发，避免误开通或关断问题。整体而言，这款MOSFET在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选器件。

UT40N03TG-TN3-R广泛应用于多种需要高效能、低损耗开关功能的电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），其中作为下管使用，因其低Rds(on)可大幅降低传导损耗，提高转换效率。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电管理电路，实现高效的能量传递与保护控制。此外，在LED照明驱动电源中，它常被用作主开关管或同步整流元件，支持恒流输出与高光效要求。
　　工业控制领域中，UT40N03TG-TN3-R适用于电机驱动模块，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，凭借其快速开关能力和高电流承载力，可实现精准的速度与方向控制。在开关模式电源（SMPS）中，无论是AC-DC适配器还是DC-DC模块电源，该MOSFET都能胜任初级侧或次级侧的开关任务，尤其适合用于多相供电架构以分担电流应力。
　　其他应用还包括热插拔控制器、逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器以及各类电源分配单元（PDU）。由于其具备良好的抗浪涌能力和稳定的高温工作特性，也可用于汽车电子外围设备，如车载充电器、车灯控制模块等非主驱系统中。总之，凡是需要在30V以内进行高效功率切换的场合，UT40N03TG-TN3-R都是一种经济且可靠的解决方案。

AP40N03GP-HF, Si4946DY, FDS4558, AO4403, IRLU3713