时间：2025/6/28 13:53:25
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GA1210A561FBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高效率方面表现优异。其封装形式为TO-263（DPAK），具有出色的散热性能，适用于多种工业及消费类电子领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：56A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1900pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GA1210A561FBLAR31G具有非常低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
其快速开关速度使其在高频应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
此外，该器件内置了反向恢复二极管，有助于降低开关噪声并优化动态性能。
其紧凑的封装设计便于安装，同时提供高效的散热路径以满足严苛的工作条件需求。
该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动、逆变器、LED驱动器以及其他需要高效功率转换的场景。
它也适合用于负载切换和保护电路，特别是在需要处理大电流和高电压的情况下。
由于其出色的性能，GA1210A561FBLAR31G在汽车电子、通信设备、工业自动化等领域也有广泛应用。
GA1210A561FBLAR30G, IRFZ44N, FDP5800
