型号：AM27C128-150DC
　　制造商：AMD
　　存储容量：128 Kbit (16 KB)
　　组织结构：16K x 8位
　　工艺技术：CMOS
　　电源电压：+4.5V 至 +5.5V
　　最大访问时间：150 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28引脚 DIP（双列直插式）
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（取决于模式）
　　读取模式电流：典型值 35 mA（最大 75 mA）
　　待机电流：最大 100 μA
　　数据保持时间：>10 年（典型值）
　　编程脉冲宽度：100 ns 典型值
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：可直接驱动两个标准TTL负载

AM27C128150DC具备多项优异的电气与物理特性，确保其在各种严苛环境下的稳定运行。首先，其150ns的快速访问时间使其能够满足多数微处理器系统的时序要求，尤其适用于8位和16位CPU架构中的程序存储需求。该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗，读取模式下典型电流仅为35mA，待机状态下更可低至100μA，有效延长了系统整体的能效表现。器件支持标准的+5V单电源供电，简化了电源设计，并兼容TTL电平接口，便于与多种数字逻辑电路无缝连接。在编程方面，AM27C128150DC支持两种编程电压模式——高压模式（+21V）和低压模式（+12.5V），提升了编程灵活性，适应不同编程器的设计需求。其28引脚DIP封装不仅便于手工焊接和更换，还配备了透明石英窗口，允许用户通过紫外线（波长约为253.7nm）照射约15至20分钟即可完成芯片内容的完全擦除，从而实现多次重复编程。此外，该器件具有出色的抗干扰能力和高噪声 immunity，能够在电磁环境复杂的工业现场可靠工作。AM27C128150DC还集成了输出使能（OE）和芯片使能（CE）控制信号，支持片选寻址和多芯片并行扩展，方便构建更大容量的存储系统。其数据保持能力超过10年，即使在高温环境下也能维持良好的数据完整性，适合长期部署的应用场景。所有引脚均具备静电放电（ESD）保护电路，增强了器件在装配和使用过程中的鲁棒性。最后，该芯片经过严格的老化测试和质量控制流程，符合工业级可靠性标准，适用于对稳定性要求较高的嵌入式控制系统。
　　值得注意的是，尽管AM27C128150DC已被后续的EEPROM和Flash技术逐步替代，但由于其无需电池即可长期保存数据、抗辐射能力强、结构简单且易于调试等优点，仍在某些特定领域如航空航天、军事装备、医疗设备及老旧工业设备维护中发挥着不可替代的作用。

AM27C128150DC主要用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制器中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）的启动代码和配置参数保存；在通信设备中用于存储BIOS或引导加载程序，确保设备上电后能正常初始化；在消费类电子产品如老式打印机、传真机、游戏机主板中作为主程序存储器；也可用于测试仪器、测量设备和数控机床中存放校准数据和操作指令。由于其可通过紫外线擦除并重复编程，因此特别适合研发阶段的原型验证和小批量生产环境，工程师可以反复修改程序内容而无需更换芯片。此外，该器件常被用于教学实验平台和电子爱好者项目中，帮助学习者理解EPROM的工作原理和存储器接口时序。在军事和航空航天领域，因其高可靠性和抗辐射特性，也被用于一些对数据持久性和环境适应性要求极高的场合。虽然现代系统更多采用串行EEPROM或NOR Flash，但在无法使用电擦除器件或需防止误写操作的场景下，AM27C128150DC仍具有实际应用价值。

AT27C128
　　MCM27C128
　　MBM27C128
　　HY27C128