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STD44N4LF6 发布时间 时间:2025/5/28 11:33:03 查看 阅读:12

STD44N4LF6是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用STMicroelectronics的MDmesh技术制造。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高雪崩击穿能力,适用于需要高效能和高可靠性的开关应用。其设计能够承受高电压,并且具备快速开关速度,从而减少开关损耗。
  该MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。

参数

最大漏源电压(Vdss):400V
  连续漏极电流(Id):4.4A
  导通电阻(Rds(on)):2.1Ω
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):2790pF
  输出电容(Coss):230pF
  反向传输电容(Crss):83pF
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

STD44N4LF6采用了MDmesh DM6技术,优化了单位面积的导通电阻性能。该器件具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流下具有较低的功耗。
  2. 高效的热管理能力,能够承受更高的工作温度。
  3. 快速开关特性,减少开关过程中的能量损失。
  4. 具备较强的雪崩击穿能力和抗静电能力,增强了器件的可靠性。
  5. 小型化封装选项支持高密度电路设计。
  6. 符合RoHS标准,环保友好。

应用

STD44N4LF6广泛用于多种电力电子应用中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
  2. DC-DC转换器,如降压或升压拓扑结构中的功率开关。
  3. 各种类型的电机驱动器,例如步进电机和无刷直流电机(BLDC)。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  5. 工业控制设备中的功率调节模块。
  6. LED照明系统的恒流或恒压驱动电路。

替代型号

STD44N4LD6

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STD44N4LF6参数

  • 其它有关文件STD44N4LF6 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11098-6