时间：2025/12/27 7:47:55
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UT3458G-AE3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现已被Qorvo收购）生产的N沟道碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。碳化硅材料相较于传统的硅基器件具有更高的禁带宽度、更高的热导率以及更高的击穿电场强度，因此UT3458G-AE3-R在性能上显著优于传统硅MOSFET，尤其适用于要求苛刻的电源转换系统。
该器件封装在高性能、低寄生电感的Power DFN 8x8封装中，有助于提升开关速度并降低电磁干扰（EMI），同时提高功率密度。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性。UT3458G-AE3-R通常用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、服务器电源和不间断电源（UPS）等高功率密度应用场景。
由于其低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，该MOSFET能够有效减少传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力和良好的体二极管性能，适合在硬开关和软开关拓扑结构中使用。器件的工作结温范围宽，通常可达-55°C至+175°C，使其能够在高温环境下稳定运行，减少了对复杂散热系统的需求。
型号：UT3458G-AE3-R
类型：N沟道碳化硅MOSFET
漏源电压（VDS）：650 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID，@TC=25°C）：10 A
脉冲漏极电流（IDM）：40 A
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 18 V）：80 mΩ
导通电阻（RDS(on) typ @ VGS = 18 V）：70 mΩ
输入电容（Ciss）：2800 pF
输出电容（Coss）：680 pF
反向恢复电荷（Qrr）：< 5 nC
栅极电荷（Qg，typ @ VGS = 18 V）：45 nC
开启延迟时间（td(on)）：15 ns
关断延迟时间（td(off)）：25 ns
上升时间（tr）：18 ns
下降时间（tf）：12 ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power DFN 8x8
安装方式：表面贴装（SMD）
符合标准：RoHS compliant, Halogen-free
UT3458G-AE3-R的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）材料技术，这使得它在高频、高电压和高温环境下表现出卓越的电气性能。与传统硅基MOSFET相比，SiC器件具有更宽的禁带宽度（约3.2 eV），使其能够在更高的电压下工作而不发生击穿，同时显著降低漏电流。这种特性使得UT3458G-AE3-R在650V应用中具备出色的耐压能力，同时保持较低的导通电阻，从而大幅减少导通损耗。例如，在数据中心电源或车载OBC（车载充电机）中，持续的高电流工作会导致传统器件发热严重，而UT3458G-AE3-R凭借其低RDS(on)和高热导率，能够有效控制温升，提升系统可靠性。
其次，该器件具有极低的开关损耗，主要归功于其快速的开关速度和极小的反向恢复电荷（Qrr）。在桥式电路或LLC谐振转换器中，体二极管的反向恢复行为是影响效率和EMI的关键因素。UT3458G-AE3-R的体二极管Qrr极低（<5nC），几乎无反向恢复电流尖峰，这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还降低了电压振铃和电磁干扰，从而简化了EMI滤波设计。此外，低栅极电荷（Qg ≈ 45nC）意味着驱动电路所需的功耗更低，可配合低成本驱动IC使用，进一步优化系统BOM成本。
封装方面，Power DFN 8x8是一种低电感、高散热性能的表贴封装，特别适合自动化生产。其底部暴露焊盘可直接连接到PCB散热层，实现高效热传导。该封装还优化了内部引线布局，减少了寄生电感，有助于提升器件在高频开关下的稳定性。结合其宽工作温度范围（-55°C至+175°C），UT3458G-AE3-R可在恶劣工业或汽车环境中长期稳定运行。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中保护自身不被损坏，增强了系统的鲁棒性。
UT3458G-AE3-R广泛应用于需要高效率和高功率密度的现代电力电子系统中。在服务器和通信电源领域，尤其是在80 PLUS钛金级电源设计中，该器件常用于PFC（功率因数校正）升压级或DC-DC变换器中，利用其低导通和开关损耗提升整体能效。在太阳能光伏逆变器中，UT3458G-AE3-R可用于DC-AC逆变桥臂，其高频能力支持更高开关频率的设计，从而减小磁性元件体积，提高逆变器功率密度。
在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的电源模块。OBC需在有限空间内实现高效率AC-DC转换，UT3458G-AE3-R的高耐压、低损耗特性正好满足这一需求。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源和高密度工业电源中，该器件也常用于半桥或全桥拓扑结构中，提供快速响应和稳定输出。
由于其优异的热性能，UT3458G-AE3-R在自然冷却或风冷条件下仍能保持良好性能，适合对散热设计有严格限制的应用场景。同时，其符合工业级和汽车级可靠性标准，使其成为下一代绿色能源和电动交通系统中的关键功率器件。
UDSC6580A-E3-A
