型号：UT3400HG-AE3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：16A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ @ VGS=10V, 8.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：1920pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：520pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：95pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：35nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：2.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2530-8L

UT3400HG-AE3-R采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流工作条件下能够有效降低导通损耗，从而提升整体系统效率。其RDS(on)典型值仅为4.7mΩ（在VGS=10V时），即便在VGS=4.5V的较低驱动电压下也能保持8.5mΩ的低阻状态，因此非常适合用于同步整流、电池供电设备及低压大电流DC-DC变换器中。这种低导通电阻特性还意味着器件在运行过程中发热量更小，有助于简化散热设计，甚至在许多情况下无需额外加装散热片即可稳定工作。
　　该器件具有优良的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg=35nC）和合理的寄生电容匹配，使其在高频开关应用中表现出色。例如，在同步降压转换器中，快速的开关速度可以减少开关过渡时间，进而降低开关损耗，提高电源的整体转换效率。同时，反向传输电容（Crss）仅为95pF，有助于抑制米勒效应，提升器件在高dv/dt环境下的抗干扰能力和稳定性。
　　UT3400HG-AE3-R具备良好的热性能，其DFN2530-8L封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热区域，实现高效散热。这种封装形式不仅体积小巧，有利于高密度布局，而且热阻较低，保证了长时间高负载运行下的可靠性。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境，包括工业级和汽车级应用条件。
　　在可靠性方面，UT3400HG-AE3-R通过了严格的品质认证，具备出色的抗静电能力（HBM模型下可达±2000V），并具有良好的长期稳定性。其栅氧化层经过优化设计，确保在±20V栅源电压范围内安全可靠运行，避免因过压导致的击穿风险。总体而言，UT3400HG-AE3-R是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，广泛适用于现代高效能电源管理系统。

UT3400HG-AE3-R主要用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，承担大电流通断任务，保障电池安全运行。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于负载开关或电源路径管理，实现对不同功能模块的独立供电控制，延长待机时间。工业控制设备中的电机驱动电路也会采用此类MOSFET进行H桥或半桥拓扑结构的构建，以实现精确的速度与方向控制。其他应用场景还包括LED驱动电源、热插拔控制器、电源逆变器以及各类开关电源适配器等。由于其小型化封装和优异的电气性能，UT3400HG-AE3-R特别适合对空间和能效有严格要求的设计方案。

SiSSOO4DN-T1-GE3,SZ2403AS,DMG2403U