时间：2025/6/27 13:31:13
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RF15N1R8A500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频射频功率晶体管，主要用于无线通信、雷达系统和微波应用领域。该器件采用先进的 GaN HEMT 工艺制造，具有高功率密度、高效率和宽频带操作的特点。其封装形式为表面贴装，适合自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压：100V
连续波输出功率：30W
峰值脉冲功率：150W
工作频率范围：0.8GHz 至 2.7GHz
栅极偏置电压：-2.5V 至 -6V
导通电阻：0.2Ω
热阻（结到壳）：0.4°C/W
封装形式：表面贴装
RF15N1R8A500CT 的主要特性包括高增益、低失真以及出色的线性性能，能够满足现代通信系统对高效能和高可靠性的要求。
该器件支持多载波操作，并且具备良好的散热管理能力，从而延长了使用寿命。
此外，它还集成了静电防护功能，增强了在实际应用中的稳定性。
GaN 技术的应用使其相比传统硅基晶体管拥有更高的功率密度和更小的体积，非常适合需要高性能和小型化的应用场景。
RF15N1R8A500CT 广泛应用于各种射频功率放大器设计中，包括基站放大器、点对点无线电设备、卫星通信系统以及测试与测量仪器。
由于其高效率和宽带性能，这款晶体管特别适合于 LTE、5G 新空口（NR）以及 WiMAX 等下一代无线通信标准。
同时，它也可用于军事和航空航天领域的相控阵雷达系统中。
RF15N1R8B500CT, RF15N1R8C500CT
