SFHG60MQ102是一种基于硅技术的高性能MOSFET功率晶体管,主要用于高效率开关应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。其设计适用于多种工业和消费类电子领域中的电源管理解决方案。
SFHG60MQ102能够承受较高的电流负载,并在高温环境下保持稳定性能。由于其卓越的热特性和电气参数,该晶体管非常适合需要高效能量转换和严格温控的应用场景。
型号:SFHG60MQ102
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-220
漏源极击穿电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):100A
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
功耗(Ptot):180W
工作温度范围(TJ):-55℃ to +175℃
总电荷(Qg):45nC
SFHG60MQ102的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使其能够在各种电力电子设备中实现高效的功率转换。此外,它还具备以下优势:
- 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
- 快速开关速度,可降低开关损耗,适合高频应用。
- 高击穿电压(Vds),确保了在高压条件下的可靠性。
- 优秀的热稳定性,使得器件即使在极端温度条件下也能维持良好性能。
- TO-220封装提供了良好的散热性能,便于安装和使用。
这些特性使SFHG60MQ102成为众多高功率密度应用的理想选择。
SFHG60MQ102广泛应用于以下领域:
- 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
- 工业电机驱动和控制电路。
- 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
- 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
- 电信设备中的功率调节模块。
- 各种高电流开关应用,例如LED驱动器和家用电器控制器。
总之,任何需要高效功率处理和可靠开关功能的场合都可以考虑使用SFHG60MQ102。
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