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SFHG60MQ102 发布时间 时间:2025/5/9 9:41:57 查看 阅读:5

SFHG60MQ102是一种基于硅技术的高性能MOSFET功率晶体管,主要用于高效率开关应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。其设计适用于多种工业和消费类电子领域中的电源管理解决方案。
  SFHG60MQ102能够承受较高的电流负载,并在高温环境下保持稳定性能。由于其卓越的热特性和电气参数,该晶体管非常适合需要高效能量转换和严格温控的应用场景。

参数

型号:SFHG60MQ102
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-220
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):100A
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  功耗(Ptot):180W
  工作温度范围(TJ):-55℃ to +175℃
  总电荷(Qg):45nC

特性

SFHG60MQ102的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使其能够在各种电力电子设备中实现高效的功率转换。此外,它还具备以下优势:
  - 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  - 快速开关速度,可降低开关损耗,适合高频应用。
  - 高击穿电压(Vds),确保了在高压条件下的可靠性。
  - 优秀的热稳定性,使得器件即使在极端温度条件下也能维持良好性能。
  - TO-220封装提供了良好的散热性能,便于安装和使用。
  这些特性使SFHG60MQ102成为众多高功率密度应用的理想选择。

应用

SFHG60MQ102广泛应用于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
  - 工业电机驱动和控制电路。
  - 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  - 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
  - 电信设备中的功率调节模块。
  - 各种高电流开关应用,例如LED驱动器和家用电器控制器。
  总之,任何需要高效功率处理和可靠开关功能的场合都可以考虑使用SFHG60MQ102。

替代型号

IRFZ44N
  STP100N10
  FDP150N10B
  IXTP14N50Q

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