存储容量：1M x 4
　　工作电压：5V ± 0.5V
　　访问时间：55ns / 60ns / 70ns（根据后缀不同）
　　封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
　　引脚数量：28
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　数据保持时间：64ms
　　刷新周期：64ms

HD81900CPS3具备低功耗模式，适合对能耗有一定要求的系统应用。其28引脚SOJ封装设计使其在PCB布局中占用空间较小，适合高密度内存模块的设计。该芯片支持标准的DRAM刷新操作，确保数据在长时间运行中的稳定性。此外，该芯片具备较高的抗干扰能力，在当时广泛应用于各类计算机和工业设备中。
　　在性能方面，HD81900CPS3提供了55ns、60ns和70ns等多种访问时间选项，用户可以根据系统需求选择合适的型号，以平衡速度与成本。其5V供电设计也使得该芯片能够兼容多种主板和控制器，确保了良好的互操作性。
　　从设计角度来看，这款DRAM芯片采用了当时较为成熟的CMOS制造工艺，能够在保证性能的同时降低功耗。此外，其数据保持时间与刷新周期匹配良好，有助于减少系统在运行过程中因刷新操作带来的性能影响。

HD81900CPS3主要用于早期的个人计算机、服务器以及嵌入式系统中作为主存储器或缓存使用。由于其稳定的性能和良好的兼容性，该芯片也常见于工业控制设备、通信设备以及测试仪器中。在当时的市场环境中，该芯片被广泛用于内存条制造，适用于多种主板平台，尤其是在需要大容量内存但对功耗有一定控制要求的场景中表现出色。此外，该芯片还被用于一些需要长时间运行的工控系统，确保数据的稳定读写。

TC55V160BFT-60, CY7C1021B-BA70S