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2128VE100LT100 发布时间 时间:2025/8/9 23:11:43 查看 阅读:28

2128VE100LT100是一款由Microchip Technology生产的高性能电子元器件芯片,属于其半导体存储器类别。这款芯片是一款SRAM(静态随机存取存储器),专为高速数据存储和访问应用设计。它被广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品和汽车电子等领域。2128VE100LT100采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高速度和高可靠性等特点,适合在严苛环境中运行。其容量为128K位,组织形式为8K x 16位,适用于需要高密度存储和快速访问速度的系统设计。

参数

容量:128K位
  组织形式:8K x 16位
  电源电压:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  访问时间:10ns
  工作电流(最大):200mA
  待机电流(典型):10mA
  存储器类型:异步SRAM
  数据保持电压:2.0V

特性

2128VE100LT100芯片具有多项显著的技术特性,使其在各种应用中表现出色。首先,它的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其适用于多种电源环境,并且能够在低电压条件下保持稳定运行。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,使其适用于工业级和汽车级应用,能够应对极端的环境条件。
  该芯片的访问时间为10ns,提供了高速的数据存取能力,满足对实时性和响应速度要求较高的系统需求。同时,其最大工作电流为200mA,而在待机模式下电流仅为10mA,这大大降低了整体功耗,适用于对能效有严格要求的设计。
  2128VE100LT100采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。TSOP封装也提供了良好的散热性能和机械稳定性,确保芯片在长期运行中的可靠性。此外,该芯片支持异步操作,简化了接口设计,并兼容多种主控设备,提高了系统的灵活性。
  该芯片还具备数据保持功能,在电源电压降至2.0V时仍能保持存储数据,防止因电源波动或意外断电而导致的数据丢失。这使得它在需要持续数据保存的应用中表现出色,例如嵌入式控制系统、网络设备和智能卡终端等场景。

应用

2128VE100LT100芯片因其高性能和低功耗特性,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于路由器、交换机和基站模块,作为高速缓存存储器,提升数据处理效率。在工业控制系统中,该芯片用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和自动化仪表,确保系统稳定运行。
  此外,2128VE100LT100也被用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒和便携式游戏设备,提供快速的数据存储和访问能力。在汽车电子领域,该芯片可应用于车载导航系统、信息娱乐系统和车身控制模块,满足汽车对高可靠性和宽温度范围的要求。
  医疗设备制造商也将其用于便携式诊断设备、监护仪和成像系统中,以保证设备在高精度数据处理时的稳定性。此外,该芯片还适用于安防监控设备,如摄像头和门禁系统,确保数据的实时存储与快速调用。

替代型号

2128VE100LL100
  2128VE100LL100E
  2128AE100LT100
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