UT30P04L-TN3-T 是一款基于硅工艺制造的高频功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下保持较低的功耗。
这款器件支持增强型逻辑电平驱动,使得其在低压系统中表现尤为出色。此外,它还具备出色的热性能,能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:20nC
总电容:1.5pF
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:TO-252
1. 高效低导通电阻设计,有助于降低功率损耗。
2. 支持高频操作,适合快速开关应用。
3. 内置反向二极管,有效防止反向电流冲击。
4. 具备良好的热稳定性和可靠性,适用于高温环境。
5. 小型化封装,节省电路板空间,同时提供优异的散热性能。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的主开关元件。
4. 各类负载切换电路及保护电路。
5. 可用于工业自动化设备、消费电子以及通信领域。
IRF3710, FDP15U20AE, AOT290L