FMH28N50E 时间：2025/8/9 20:00:08 阅读：32

FMH28N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。FMH28N50E采用TO-220封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：8A（@TC=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FMH28N50E具有多个显著的性能优势。首先，其高耐压能力（500V VDS）使其适用于多种高压电源系统，例如AC-DC转换器和工业电源设备。其次，导通电阻RDS(on)为0.28Ω，在VGS=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适合高频开关应用，有助于减小外围电路体积并提升系统响应速度。
　　在封装方面，TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，确保在高功率工作条件下保持稳定运行。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。
　　从制造工艺来看，FMH28N50E采用了先进的平面工艺和沟槽技术，以平衡导通电阻与开关损耗之间的关系，从而优化整体性能。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至15V），兼容常见的驱动电路设计。

应用

FMH28N50E广泛应用于多种功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，该器件可用作主开关，负责将输入电压转换为高频交流信号以提高转换效率。在DC-DC转换器中，FMH28N50E常用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，实现高效的电压调节。此外，该MOSFET还适用于电机控制电路，作为H桥中的开关元件，实现电机的正反转和速度调节。
　　在工业控制和自动化系统中，FMH28N50E可用于驱动继电器、电磁阀和LED照明等负载。在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、充电器和UPS（不间断电源）系统，提供稳定的功率输出。由于其具备较高的可靠性和耐用性，FMH28N50E也可用于新能源系统中的逆变器或光伏逆变器模块。