型号：UT30N03G-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)@25℃：25A
　　连续漏极电流(Id)@70℃：16A
　　脉冲漏极电流(Idm)：100A
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：4.5mΩ
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V：6.2mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：19nC
　　输入电容(Ciss)：1260pF
　　输出电容(Coss)：440pF
　　反向恢复时间(Trr)：18ns
　　开启延迟时间(Td(on))：8ns
　　关断延迟时间(Td(off))：22ns
　　阈值电压(Vth)：1.0~2.0V
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：DFN3x3-8L

UT30N03G-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而实现更高的能效表现。其低Rds(on)特性使得在大电流条件下仍能保持较小的功率损耗，有效减少发热，提升系统整体可靠性。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于大电流同步整流拓扑中，如Buck、Boost和半桥电路。同时，该MOSFET具备良好的栅极电荷（Qg）控制，总栅极电荷仅为19nC，有助于降低驱动损耗并提高开关频率，适用于高频DC-DC变换器设计。
　　该器件的封装形式为DFN3x3-8L，是一种底部散热的小型表面贴装封装，具有优异的热传导性能，可通过PCB焊盘将热量高效传递至外部散热层，从而在有限空间内实现良好散热。这种封装还减少了寄生电感，提升了高速开关过程中的稳定性，抑制了电压尖峰和振荡现象。此外，UT30N03G-TN3-R具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在瞬态过压或短路情况下维持正常工作，增强了系统的安全裕度。
　　器件的阈值电压范围为1.0V~2.0V，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其输入电容（Ciss）为1260pF，输出电容（Coss）为440pF，具备适中的电容特性，平衡了开关速度与EMI噪声。反向恢复时间（Trr）为18ns，表明其体二极管具有较快的恢复能力，在同步整流应用中可减少反向恢复损耗和交叉导通风险。总体而言，UT30N03G-TN3-R在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是现代高密度电源设计中的优选器件。

UT30N03G-TN3-R广泛应用于各类中低压大电流电源转换场景。典型应用包括同步整流型DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或FPGA等高性能处理器提供高效供电。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电管理电路，作为充放电开关或负载隔离开关，实现低功耗和高效率的能量传输。此外，在LED背光驱动、电机驱动电路以及热插拔电源管理模块中，UT30N03G-TN3-R也表现出优异的开关特性和可靠性。
　　由于其DFN3x3-8L小尺寸封装，该器件非常适合高密度PCB布局，常用于智能手机、穿戴设备、IoT终端等对空间敏感的产品中。在工业控制领域，它可用于PLC模块、传感器供电单元和小型逆变器中的功率开关环节。在通信设备中，该MOSFET可作为PoE（以太网供电）接收端的同步整流器件，提升能量利用率。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）也使其适用于高温或恶劣环境下的应用场合。综上所述，UT30N03G-TN3-R凭借其高性能、小体积和高可靠性，已成为现代电源系统中不可或缺的关键元件之一。

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　　 "UT30N03G-TN3",
　　 "AON6260",
　　 "SiSS108DN",
　　 "AOZ5232EQI-01",
　　 "FDMS7680S"
　　]