型号：UT25N10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）@25°C：25A
　　漏极脉冲电流（Idm）：100A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=10V：≤0.036Ω
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=5V：≤0.045Ω
　　栅极电荷（Qg）：60nC
　　输入电容（Ciss）：1800pF
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：40ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UT25N10具备出色的电气特性与热性能，其核心优势在于低导通电阻与高电压承受能力的结合。在Vgs=10V时，Rds(on)不超过36毫欧，这使得在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提高了系统的整体能效。这一特性特别适用于高频率开关电源和同步整流电路中，有助于减少发热并提高功率密度。同时，该器件支持高达25A的连续漏极电流，在短时间内可承受高达100A的脉冲电流，展现出强大的过载能力，适应启动瞬间或动态负载变化的需求。
　　该MOSFET采用了优化的晶圆结构设计，提升了载流子迁移率，增强了开关速度。其栅极电荷（Qg）仅为60nC，意味着驱动电路所需提供的电荷量较少，降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动芯片或简化栅极驱动电路。输入电容（Ciss）为1800pF，配合较低的米勒电容（Crss），有效减少了开关过程中的电荷注入效应，避免了不必要的误导通现象，提升了高频工作的稳定性。
　　在可靠性方面，UT25N10具备良好的热稳定性，其最大结温可达150°C，确保在高温环境或密闭空间内仍能安全运行。器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=35ns），适用于需要续流功能的应用场景，如H桥电机驱动或反激式变换器中，可有效抑制电压尖峰，降低EMI干扰。此外，该MOSFET通过了多项国际认证，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保与绿色制造的要求。综合来看，UT25N10以其高性能、高可靠性和成本效益，成为众多电源设计工程师的优选方案之一。

UT25N10广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合需要高效开关操作和良好热管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源模块和LED驱动电源，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用，发挥其低导通电阻和快速开关的优势，提升转换效率并降低温升。此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器中，特别是在12V/24V系统中作为高端或低端开关元件，实现高效的电压调节。
　　在电机控制领域，UT25N10可用于直流电机驱动、步进电机驱动以及小型伺服系统中，作为H桥电路中的功率开关，提供双向电流控制能力。其高电流承载能力和快速响应特性，确保电机启停平稳、响应迅速。在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于DC-AC转换环节，承担高频切换任务，将直流电转换为交流输出，适用于小型家用逆变设备或备用电源系统。
　　其他应用场景还包括电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电焊机、照明镇流器、工业自动化控制板卡等。由于其具备较强的抗冲击能力和良好的长期稳定性，UT25N10也可用于恶劣环境下的工业设备中。总之，凡是需要一个耐压100V左右、电流能力较强且效率高的N沟道MOSFET的场合，UT25N10都是一个极具竞争力的选择。

IRF3205, FQP27N10L, STP25NF10, AP95T10GP, TK25A10U