类型：单向ESD保护二极管
　　工作电压：6.1V
　　最大反向关态电压（VRWM）：6.1V
　　钳位电压（Vc）：13.3V（在Ipp=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　电容值（C）：0.9pF（典型值）
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

LESDA6V1AW5T1G 具备卓越的ESD保护性能，其最大钳位电压为13.3V，在1A的峰值脉冲电流下能有效吸收静电冲击。该器件的电容值非常低，典型值仅为0.9pF，使其非常适合用于高速信号线路的保护，不会影响信号完整性。此外，其SOD-523的小型封装设计节省了PCB空间，适用于空间受限的应用场景。
　　该ESD保护二极管的反向关态电压为6.1V，确保在正常工作电压下不会干扰电路的运行。其紧凑的结构与优异的热性能使其能够在恶劣环境下稳定工作。LESDA6V1AW5T1G 还具有快速响应时间，能在纳秒级内对静电放电事件做出反应，从而保护下游电路免受损坏。此外，该器件的可靠性高，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，可承受±8kV接触放电和±15kV空气放电。

LESDA6V1AW5T1G 主要用于各类电子设备中的ESD保护，广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）、USB接口保护、HDMI和DisplayPort等高速数据线路保护、计算机外设接口、工业控制系统、通信基础设施设备以及汽车电子系统等场景。由于其低电容特性，该器件特别适合用于高速信号线路，如HDMI、以太网、USB 3.0等，能够在不影响信号传输质量的前提下提供可靠的静电放电保护。

PESD5V0S1BA, NUP2105L, ESD9A3.3ST5G