时间：2025/12/27 8:05:41
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UT23P09G-TA3-T是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司生产的高性能SiC（碳化硅）功率MOSFET器件，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热性能和电气特性，相较于传统的硅基MOSFET，在高温、高压和高频工作条件下表现出更优的导通损耗和开关损耗表现。UT23P09G-TA3-T的额定电压为900V，典型导通电阻RDS(on)低至23mΩ，适用于需要高功率密度和高能效转换的应用场景。该器件封装在TO-247-3L封装中，具有良好的热传导性能和机械稳定性，便于在高功率模块中进行散热管理。其主要优势包括快速开关能力、低栅极电荷、高雪崩耐受能力和优异的抗短路能力，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源以及各类DC-DC和AC-DC转换器中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。
型号：UT23P09G-TA3-T
类型：N沟道SiC MOSFET
最大漏源电压(VDS)：900V
最大连续漏极电流(ID)：38A
导通电阻(RDS(on))：23mΩ
栅极阈值电压(VGS(th))：4.5V
最大栅源电压(VGS max)：+25V/-15V
功耗(PD)：300W
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
输入电容(Ciss)：4000pF
输出电容(Coss)：560pF
反向恢复时间(trr)：无体二极管反向恢复（SiC MOSFET无传统体二极管）
开关速度：快速开关，适用于高达数百kHz的开关频率
UT23P09G-TA3-T的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所实现的卓越电学性能。首先，该器件具备极低的导通电阻（RDS(on) = 23mΩ），在900V额定电压下仍能保持较低的导通损耗，显著提升系统整体能效，尤其在高负载工况下优势明显。其次，由于SiC材料的宽禁带特性，其临界击穿电场强度远高于传统硅材料，使得器件能够在更高电压下稳定工作，同时减少漂移区厚度，从而降低导通电阻并提高功率密度。该器件具有非常低的寄生参数，包括输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的效率。此外，UT23P09G-TA3-T具备出色的开关性能，支持数百kHz甚至更高的开关频率，有助于减小磁性元件和滤波器的体积，实现更紧凑的电源设计。
另一个关键特性是其优异的热性能。SiC材料本身具有较高的热导率，结合TO-247-3L封装的良好散热设计，使得该器件在高功率工作状态下仍能维持较低的结温，延长使用寿命并提高系统可靠性。其最高工作结温可达+175°C，远高于传统硅MOSFET的150°C限制，适用于高温环境下的应用，如车载电力系统或工业设备内部。此外，该器件对dv/dt和di/dt的耐受能力强，减少了电磁干扰（EMI）问题，提升了系统的电磁兼容性。UT23P09G-TA3-T还具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，能够承受瞬态过压和电流冲击，提高了在异常工况下的鲁棒性。最后，该器件无需传统意义上的体二极管反向恢复过程，避免了反向恢复电荷带来的损耗和噪声，进一步优化了硬开关电路的性能。
UT23P09G-TA3-T广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关电源（SMPS）、服务器电源单元（PSU）以及电信整流器中，帮助实现80 PLUS钛金等级以上的能效标准。在可再生能源系统中，该器件被用于光伏（PV）逆变器的直流-交流转换级，因其高电压耐受能力和低损耗特性，可有效提升太阳能发电系统的整体转换效率。在电动汽车相关应用中，UT23P09G-TA3-T可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率转换模块，支持高功率密度设计和快速充电需求。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该器件凭借其优异的动态响应和热稳定性，成为实现高效双向功率转换的理想选择。其他应用场景还包括高频率DC-DC变换器、电机驱动器、感应加热设备以及高端电源模块等。其TO-247-3L封装形式也使其易于集成到现有电源拓扑结构中，如图腾柱PFC、半桥、全桥和LLC谐振转换器等电路架构中，适应多种拓扑需求。
Cree / Wolfspeed C2M0023090D
ROHM SCT3023AL
Infineon IMW65R028M1H
ON Semiconductor / Nexperia NVHL23090
Microchip (Microsemi) MA4S1023
