SI9426 时间：2025/8/25 0:38:15 阅读：5

SI9426 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电机控制以及 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于高效率、高密度的电源设计。SI9426 的封装形式为 SOP-8（也称为 PowerPAK SO-8），具有良好的散热性能，同时兼容表面贴装工艺。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）: 30V
　　栅源电压（Vgs）: ±20V
　　漏极电流（Id）: 8A（最大）
　　导通电阻 Rds(on): 0.028Ω @ Vgs = 10V
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装形式: PowerPAK SO-8

特性

SI9426 具备多项优异特性，适用于高效率功率应用。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)）为 0.028Ω，在 10V 栅极驱动电压下可显著降低导通损耗，提升系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 8A，适用于中等功率的开关和负载管理应用。
　　在热性能方面，SI9426 采用 PowerPAK SO-8 封装，这种封装形式具有良好的散热能力，能够在高电流工作条件下保持较低的温升，提升系统的稳定性与可靠性。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs 输入，兼容多种驱动器和控制器的设计需求。
　　另外，SI9426 还具备较低的输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr），有利于实现高速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流等应用。其内部结构设计优化，确保在极端工作条件下仍能保持良好的性能表现。

应用

SI9426 主要应用于各类电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、电源管理模块以及同步整流电路。其低导通电阻和高效率特性使其成为开关电源（SMPS）和高密度电源设计中的理想选择。此外，由于其封装形式支持表面贴装工艺，因此也广泛用于需要自动化生产流程的消费电子、工业设备和通信设备中。在汽车电子领域，SI9426 也常用于车载电源系统、LED 驱动电路以及电池供电设备中的功率控制模块。