型号：DMP21D0UFD-7
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A（Ta=25°C），-1.3A（Tc=70°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　功耗（Pd）：1W（Ta=25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻Rds(on)：55mΩ（Vgs=-4.5V），75mΩ（Vgs=-2.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：290pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　输出电容（Crss）：50pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　封装类型：DFN2020-6

DMP21D0UFD-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少功率损耗并提高系统效率。其在Vgs=-4.5V时的典型Rds(on)仅为55mΩ，在低电压驱动条件下仍能实现优异的导通性能，适用于电池供电设备等对能效要求较高的场合。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频开关应用中表现出色。这对于DC-DC转换器、同步整流及负载开关等应用至关重要，有助于降低动态损耗并提升电源转换效率。
　　DMP21D0UFD-7的DFN2020-6封装具有优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层或散热层，从而提升器件的热稳定性与长期可靠性。这种封装形式也支持自动化贴片生产，适合大规模SMT工艺。
　　该MOSFET具备良好的栅极氧化层耐压能力，最大栅源电压为±8V，可在常见逻辑电平控制下安全工作。同时，其阈值电压范围合理（-0.6V至-1.0V），确保在关断状态下具有较强的抗干扰能力，避免因噪声引起误导通。
　　此外，DMP21D0UFD-7通过了AEC-Q101认证，表明其满足汽车级元器件的可靠性测试标准，可用于车载电子系统如车身控制模块、车载传感器电源管理等场景。综合来看，这款器件在性能、尺寸和可靠性方面实现了良好平衡，是现代小型化、高效率电子产品中的理想选择之一。

DMP21D0UFD-7适用于多种低电压、高效率的电源管理与开关控制场景。常见应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关与电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制不同功能模块的供电通断，以优化电池续航能力。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流或高端开关元件，尤其适合负压输出或P通道驱动拓扑结构，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少发热。
　　此外，它也广泛用于电池供电系统的电源切换与反向电流阻断，例如在双电池切换、备用电源切换或USB接口电源保护电路中发挥关键作用。其小型DFN封装非常契合高密度PCB设计需求，节省空间的同时保证电气性能。
　　在工业与汽车电子领域，DMP21D0UFD-7可用于传感器模块、执行器驱动、LED照明控制以及车载信息娱乐系统的电源管理单元。由于其符合AEC-Q101标准，具备较高的环境适应性和长期运行稳定性，因此适合部署在温度变化剧烈或振动频繁的环境中。
　　另外，该器件还可作为通用P沟道MOSFET用于信号切换、电平移位和短路保护电路中，提供可靠的开关控制功能。总体而言，DMP21D0UFD-7凭借其高性能与紧凑封装，在现代电子系统中扮演着不可或缺的角色。

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　　 "DMG21D0UFG-7",
　　 "DMP21D0UFG-7",
　　 "AOZ5212PI"
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