时间：2025/12/27 9:10:57
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UT138E-6是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及负载控制等场合。该器件采用高效率的平面技术制造，具备低导通电阻和优良的开关特性，能够在中等电压和电流条件下实现高效能的电能转换与控制。UT138E-6通常封装于TO-252（D-PAK）形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产流程。该MOSFET的额定漏源电压为60V，最大连续漏极电流可达52A，适合在需要较高电流承载能力的应用中使用。其栅极阈值电压较低，便于直接由逻辑信号驱动，从而简化了驱动电路设计。此外，UT138E-6具备较高的雪崩能量承受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。由于其优异的性价比和稳定的供货能力，UT138E-6被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备、DC-DC转换器、电机驱动模块以及电池管理系统等领域。
型号：UT138E-6
封装类型：TO-252
晶体管极性：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
漏极电流(Id)：52A
功耗(Pd)：125W
导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V, Id=20A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)：2300pF @ Vds=30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
UT138E-6具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻特性显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗，提高了整体系统的能效。该器件采用先进的平面工艺制造，确保了载流子迁移率的优化和通道均匀性，从而实现了快速的开关响应时间和较低的开关损耗。其栅极结构经过优化设计，具有适中的输入电容和较小的栅极电荷量，有助于减少驱动功率并提升高频开关应用中的效率。此外，UT138E-6在高温环境下仍能保持稳定的性能输出，最大结温可达150°C，配合TO-252封装良好的散热能力，可在紧凑空间内实现高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载断开时吸收一定的能量而不损坏，提升了整个电源系统的鲁棒性。其内部寄生二极管具有较快的反向恢复速度，减少了在续流过程中的能量损耗，尤其适用于同步整流或H桥驱动等对体二极管性能要求较高的场景。UT138E-6的引脚布局合理，符合标准D-PAK封装规范，便于PCB布线和热设计，同时支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，适应现代电子制造工艺的要求。由于其高可靠性和一致性，该器件在批量生产中表现出良好的良率和长期稳定性，是中功率开关应用中的理想选择之一。
UT138E-6广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于中等功率级别的DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）拓扑结构，能够有效降低导通损耗并提高转换效率。在便携式设备和嵌入式系统中，常用于电池供电路径的开关控制，实现电源通断管理和节能运行。此外，该器件也常见于电机驱动电路中，作为H桥的上下桥臂开关元件，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和精确控制能力。
在工业控制领域，UT138E-6可用于继电器替代方案、固态开关、LED驱动电源以及各类电源模块中，因其高电流承载能力和良好的热性能，能够在长时间满负荷运行下保持稳定工作。在汽车电子辅助系统中，如车载充电器、车灯控制模块和风扇调速电路中也有广泛应用。同时，得益于其较强的抗干扰能力和环境适应性，该MOSFET也可用于通信设备的电源单元和服务器电源管理模块中。总之，UT138E-6凭借其高性能指标和经济性，成为众多开关电源和功率控制应用中的主流选择。
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"AON6260",
"FDS6680A",
"IRF138E",
"SiSS138E"
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