UT100N03L 时间：2025/5/10 11:02:38 阅读：11

UT100N03L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要用途包括开关电源、电机驱动、负载开关和 DC-DC 转换器等场景。
　　UT100N03L 的设计使其能够在高频条件下保持高效运行，同时具备良好的电气特性和可靠性，非常适合对效率和散热有较高要求的应用环境。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：100A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：78nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
　　2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用需求。
　　3. 快速开关性能，适用于高频开关电路。
　　4. 小巧的封装尺寸，便于 PCB 布局和系统集成。
　　5. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
　　6. 提供了强大的抗静电能力（ESD 保护），增强了器件的耐用性。

应用

1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. DC-DC 转换器和降压/升压电路中的功率级元件。
　　6. 其他需要高效功率转换和低损耗的应用场景。