CREE 时间：2025/12/28 16:22:42 阅读：32

CREE 是一家专注于高性能半导体解决方案的美国公司，尤其以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料技术著称。CREE 在碳化硅功率器件和 LED 技术领域处于全球领先地位，其产品广泛应用于高效能电源转换、电动汽车、工业电机驱动、可再生能源系统以及固态照明等领域。2021年，Wolfspeed（CREE 的子公司）成为其碳化硅和氮化镓业务的主要运营实体，专注于发展下一代功率半导体器件。因此，提到 CREE 的芯片，通常指的是其碳化硅功率器件和 LED 芯片。

参数

工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　最大漏源电压（SiC MOSFET）：650V、1200V、1700V
　　最大连续漏极电流（ID）：依据不同型号从几安培至几十安培
　　导通电阻（RDS(on)）：低至数毫欧级别
　　栅极电压范围：-5V 至 +20V
　　封装形式：TO-247、TO-263、DFN 等多种工业标准封装
　　热阻（RθJC）：依据封装不同，典型值为 0.5°C/W 至 2.0°C/W

特性

CREE 的碳化硅功率器件具有极高的材料热导率和优异的导电性能，使其在高电压、高频率和高温环境下仍能保持稳定运行。与传统硅基器件相比，碳化硅器件具有更低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高电源系统的整体效率。此外，碳化硅器件的高耐压能力允许设计更紧凑的功率模块，减少系统体积和重量。
　　CREE 的 SiC MOSFET 和肖特基二极管在电动汽车（如车载充电器和逆变器）、太阳能逆变器以及工业电源中广泛应用，能显著提升能效并降低冷却需求。同时，CREE 的 LED 芯片在亮度、能效和寿命方面表现优异，广泛应用于照明、显示屏背光和信号指示等领域。
　　在可靠性方面，CREE 的碳化硅器件通过了严格的工业和汽车级认证，确保在极端环境下的长期稳定性。此外，CREE 提供全面的技术支持和参考设计，帮助工程师快速实现高效能功率系统的开发。

应用

CREE 的碳化硅功率器件广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、车载逆变器、可再生能源系统（如光伏逆变器）、工业电机驱动、UPS 电源、电能质量管理系统等。这些器件的高效能特性使其成为高功率密度电源系统的理想选择。
　　在照明领域，CREE 的 LED 芯片被广泛用于室内和户外照明、汽车灯具、背光显示、智能照明系统以及特种照明应用（如医疗和工业检测）。其 LED 芯片在高亮度输出和低功耗方面具有显著优势。
　　此外，CREE 的碳化硅衬底和射频器件也用于5G通信基础设施、雷达系统和卫星通信等领域，支持高频、高功率射频应用。