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MBR20080CT 发布时间 时间:2025/9/3 7:07:57 查看 阅读:9

MBR20080CT 是一款由多家制造商(如Vishay、ON Semiconductor等)生产的双共阴极肖特基势垒整流器,广泛用于电源转换、DC/DC转换器、开关电源(SMPS)及反激式转换器中。该器件采用TO-220封装,适用于高效率、低电压和高频整流应用。

参数

最大平均整流电流:20A
  峰值反向电压:80V
  正向压降:最大0.55V(在20A时)
  反向漏电流:最大0.5mA(在80V时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220AB
  引脚数量:3
  安装方式:通孔安装

特性

MBR20080CT 采用了先进的肖特基势垒整流技术,能够在高频开关条件下提供优异的整流性能。其低正向压降(在大电流下通常低于0.55V)有助于提高电源系统的整体效率,同时减少热损耗。该器件的峰值反向电压为80V,适用于中低压整流应用,例如在反激式开关电源和DC/DC转换器中。由于其双共阴极结构,可以方便地用于双路整流或同步整流拓扑中,从而减少外围元件数量,提高系统可靠性。
  此外,MBR20080CT 采用TO-220封装,具备良好的热管理和机械强度,适合在工业级温度范围内稳定工作。其高浪涌电流承受能力使其在面对电源启动或负载突变等极端情况时仍能保持稳定运行。由于其优异的性能和广泛的应用适应性,MBR20080CT 常被用于电源管理模块、电池充电器、适配器和电源转换设备中。

应用

MBR20080CT 主要应用于开关电源(SMPS)、AC/DC适配器、DC/DC转换器、反激式变换器、电池充电器、电信电源系统、工业电源设备以及电源管理模块等。其低正向压降和高效率特性使其特别适用于需要高能效和小尺寸设计的电源系统中。

替代型号

MBR20080CT 的替代型号包括 MBR2080CT、MBR20H80CT、MBR2045CT、MBR2060CT、SR3080、SB2080 等。这些型号在封装、额定电流和电压等方面具有相似的电气特性,可根据具体应用需求进行替换。

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MBR20080CT参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压80 V
  • 正向连续电流200 A
  • 最大浪涌电流1500 A
  • 正向电压下降0.88 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 40 C to + 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体Module
  • 封装Bulk
  • 工厂包装数量25