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US6K2TR 发布时间 时间:2025/12/25 11:44:03 查看 阅读:20

US6K2TR是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高压超快速整流二极管,广泛应用于需要高效、高可靠性电源转换的场合。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有优异的热稳定性和电气性能。其名称中的'US'通常代表超快速恢复特性,'6'表示额定反向重复电压为600V,'K'可能指示特定的电流等级或产品系列,而'2TR'则表明其封装形式为SMA(DO-214AC)且为卷带包装,适用于自动化贴片生产。US6K2TR主要用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器、续流二极管以及各种消费类电子和工业控制设备中,作为关键的整流元件,确保交流到直流的高效转换并减少能量损耗。由于其紧凑的表面贴装封装,该二极管非常适合空间受限的应用场景,同时具备良好的散热性能和机械强度。

参数

类型:超快速整流二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):600V
  最大均方根电压(VRMS):420V
  最大直流阻断电压(VDC):600V
  平均整流电流(IO):1A
  正向压降(VF):典型值1.3V,最大值1.7V(在IF=1A条件下)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(单个半正弦波,60Hz)
  反向漏电流(IR):最大5μA(在VR=600V,TA=25°C时)
  反向恢复时间(trr):典型值50ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装:SMA(DO-214AC)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

US6K2TR的核心优势在于其超快速恢复特性,反向恢复时间(trr)典型值仅为50纳秒,这一参数对于高频开关电源至关重要。在现代开关电源设计中,较高的开关频率可以显著减小变压器和滤波电感的体积,从而实现电源的小型化和轻量化。然而,高频率也意味着二极管需要在极短的时间内完成从导通状态到截止状态的切换。传统的整流二极管在关断过程中会产生较长的反向恢复电流尖峰,这不仅会增加开关管的损耗,还可能引发严重的电磁干扰(EMI),影响整个系统的稳定性。US6K2TR通过优化的PN结结构和掺杂工艺,极大地抑制了反向恢复电荷(Qrr),使其在快速关断时产生的反向电流极小且持续时间极短,有效降低了开关损耗和噪声。
  其次,该器件拥有高达600V的反向重复峰值电压(VRRM),使其能够安全地应用于输入电压波动较大的环境中,例如通用输入(85VAC至265VAC)的离线式电源。这种高耐压能力提供了充足的安全裕量,即使在电网出现瞬态过压的情况下,也能保证系统的可靠运行,避免因电压击穿导致的器件失效。此外,其1A的平均整流电流能力足以满足大多数中小功率应用的需求,如适配器、充电器和辅助电源等。
  在热性能方面,US6K2TR采用SMA封装,该封装具有较低的热阻,能够有效地将内部产生的热量传导至PCB板上,通过大面积的铜箔进行散热。其宽广的工作结温范围(-55°C至+150°C)确保了器件在极端环境温度下仍能保持正常功能,适用于工业级和部分汽车电子应用。低正向压降(VF)是另一个重要优点,在1A电流下典型值仅为1.3V,这意味着导通损耗非常低,有助于提高整体电源效率,减少发热,延长系统寿命。

应用

US6K2TR因其出色的电气特性和紧凑的封装,被广泛应用于多种电力电子领域。最常见的应用场景是各类开关模式电源(SMPS),包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源以及电视和显示器的内置电源。在这些设备中,它通常被用作输出整流二极管,将高频变压器次级侧的交流电压转换为稳定的直流电压。由于其超快速恢复特性,特别适合用于同步整流架构之前的非同步版本,或者在主开关管的续流路径中作为箝位或保护二极管。
  此外,它也常用于DC-DC转换器模块中,特别是在升压(Boost)和反激(Flyback)拓扑结构中,作为能量传递和电压提升的关键元件。在逆变器电路中,US6K2TR可用于桥式整流前端,将市电交流输入整流为直流母线电压,为后续的逆变桥提供能量。在电机驱动和工业控制系统中,它可以作为感性负载(如继电器线圈、电机绕组)的续流二极管,吸收关断时产生的反电动势,保护控制晶体管免受高压损坏。
  由于其表面贴装(SMD)特性,US6K2TR完全兼容现代化的自动化生产线,适合大规模、高效率的回流焊工艺,大大提升了生产效率和产品一致性。它也被用于各种消费类电子产品、家用电器的电源管理单元,以及需要高可靠性的通信设备和网络设备中。

替代型号

US6K-E3/52
  US6K-G
  MB6S
  ES6K
  HER606

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US6K2TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds70pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装TUMT6
  • 包装带卷 (TR)