时间：2025/7/23 6:49:18
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STB140NF75-1是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET，专为高电流和高效率应用设计。该器件采用了先进的技术，提供了卓越的导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。
类型: N沟道MOSFET
漏极电流（ID）: 140A
漏极-源极击穿电压（VDS）: 75V
栅极-源极电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)）: 3.8mΩ（最大值）
工作温度范围: -55°C至175°C
封装类型: D2PAK
功率耗散（PD）: 200W
STB140NF75-1 MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。其先进的封装技术确保了良好的散热效果，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。此外，该器件具有快速的开关速度，减少了开关损耗，从而提高了系统的整体效率。其高耐压能力使其适用于多种高要求的应用场景。STB140NF75-1还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，适合在恶劣环境中使用。
这款MOSFET的栅极驱动要求较低，可以在较宽的电压范围内工作，适用于各种驱动电路设计。其优异的动态特性使其成为高频开关应用的理想选择，能够有效减少能量损耗并提高系统响应速度。此外，STB140NF75-1还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
STB140NF75-1广泛应用于汽车电子、工业电源、电机控制、电池管理系统（BMS）、开关电源（SMPS）以及太阳能逆变器等领域。其高电流能力和优异的导通性能使其非常适合用于高功率密度设计，如电动车辆的电力驱动系统和储能系统的功率转换模块。此外，该器件还可用于DC-DC转换器、UPS系统以及各种高效率电源管理应用。
STB140NF75-1, IRF1407, FDP140N75F2, FDBL140N75F2, IPP140N75N3G1
