类别:半导体模块
类别:半导体模块 家庭:IGBTsIGBT 类型:沟道配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200VVge, Ic时的最大Vce(开):2.15V @ 15V, 25A电流 - 集电极 (Ic)(最大):45A电流 - 集电极截止(最大):2.7mAVce 时的输入电容 (Cies):1.8nF @ 25V功率 - 最大:170W输入:三相桥式整流器NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:E2