型号：US1150CM
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.0 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A（半正弦波，60 Hz）
　　最大正向电压（VF）：1.7 V（在IF = 1.0 A, TJ = 25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：200 μA（在VR = 1200 V, TJ = 25°C条件下）；可随温度升高而增加
　　反向恢复时间（trr）：典型值为0 ns（无尾电流）
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值为0 C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻（RθJC）：约40 °C/W（典型值）
　　封装形式：TO-252（D-Pak）
　　引脚数：3（其中中间引脚为连接到管壳的散热片，通常接源极或地）
　　极性：单芯片二极管，阴极为正向导通端

US1150CM的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，赋予了它远超传统硅快恢复或超快恢复二极管的性能表现。首先，在静态电气特性方面，该器件具备1200V的高阻断电压能力，能够应用于高压直流母线系统中，例如工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电设备。尽管其额定平均电流仅为1A，但由于碳化硅材料的高热导率和优良的载流子迁移特性，它能够在瞬态过载条件下承受高达30A的浪涌电流，展现出良好的鲁棒性和抗冲击能力。更重要的是，其正向导通压降在1A电流下仅为1.7V左右，且随温度变化较小，确保了在不同工况下的高效导通。
　　在动态特性方面，US1150CM的最大亮点是其“零反向恢复”行为。由于碳化硅肖特基结构不存在PN结的少数载流子存储效应，因此在从正向导通切换到反向阻断状态时不会产生反向恢复电流（IRR）和相关的恢复电荷（Qrr），这从根本上消除了由Qrr引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。这一特性对于高频开关电路尤为重要，如图腾柱PFC拓扑、LLC谐振转换器和ZVS/ZCS软开关架构，能显著提升系统效率并简化滤波设计。此外，该器件的工作结温可达+175°C，远高于普通硅二极管的150°C限制，使其能在恶劣热环境下长期可靠运行，减少散热器尺寸和系统成本。
　　封装上采用TO-252（D-Pak）形式，支持表面贴装自动化生产，有利于提高制造效率和产品一致性。该封装具备良好的热传导路径，通过底部散热片将热量有效传递至PCB铜层或外部散热结构。同时，三引脚设计增强了机械稳定性与电气连接可靠性。总体而言，US1150CM以其高频、高效、高温和高可靠性的综合优势，成为现代绿色能源和高功率密度电源系统的理想选择。

US1150CM广泛应用于各类高性能电力电子系统中，尤其适合对效率、开关频率和热管理有严格要求的应用场景。典型应用包括：用于服务器电源、通信电源和工业电源中的连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）功率因数校正（PFC）电路，作为升压二极管使用，因其零反向恢复特性可大幅降低主开关管的开通损耗；在DC-DC变换器中用作输出整流二极管，特别是在高输入电压（如800V母线）系统中替代硅快恢复二极管以提升效率；在光伏（PV）逆变器和储能系统中用于直流侧防反接保护或级联H桥拓扑中的箝位与续流功能；在不间断电源（UPS）和逆变器中作为桥式整流或同步整流辅助二极管，提升系统动态响应和可靠性；此外，也可用于感应加热、电机驱动和电动汽车车载充电机（OBC）等领域的高压整流模块。由于其表面贴装封装特性，特别适用于需要自动组装和紧凑布局的现代电源模块设计。

UJ3D1200K1S-R09
　　USD1150CM
　　Vishay SiA050DG
　　Wolfspeed C4D10120D