时间：2025/8/6 17:36:18
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RSS060P05HZG 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通电阻 (Rds(on)) 并提高了电流处理能力，同时保持了较小的封装尺寸，适合高密度电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：6A
最大漏源电压 (Vds)：50V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 12.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散 (Pd)：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：HVSOF6
RSS060P05HZG 具备低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体效率。其先进的沟槽结构设计有助于减少开关损耗，从而支持高频操作，这对于现代高效电源转换器尤为重要。
此外，该器件支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了更高的栅极驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力，提高了系统的可靠性。其 50V 的漏源电压额定值适用于多种中压电源应用，包括汽车电子和工业控制设备。
RSS060P05HZG 采用 HVSOF6 封装，具有较小的体积和优良的热性能，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，确保在高负载条件下依然能够稳定运行。器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛的工作环境。
该 MOSFET 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。在汽车电子中，它也常用于车载充电系统和车身控制模块。
SiSS060P05NG、FDMS7680、IRF7413PBF
