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GA0805A271GBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:36:20 查看 阅读:3

GA0805A271GBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款芯片广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子等领域,是现代高效能电子产品中的关键组件。

参数

型号:GA0805A271GBEBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总功耗(Ptot):43W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

GA0805A271GBEBR31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了较低的传导损耗,从而提高了整体系统效率。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性,使其能够在严苛环境下可靠运行。
  4. 良好的热性能有助于散热管理,延长器件寿命。
  5. 宽泛的工作温度范围使该器件适用于各种恶劣环境条件下的应用。

应用

GA0805A271GBEBR31G可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为功率开关使用。
  2. 各类电机驱动应用,包括步进电机、直流无刷电机等。
  3. 电池保护电路和负载切换电路。
  4. 汽车电子系统中的负载控制和电源管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

GA0805A271GBEBR31H, GA0805A271GBEBR31K

GA0805A271GBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-