时间：2025/12/27 8:51:10
阅读：9
UR233L-50-AB3-C-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件基于宽带隙半导体材料碳化硅技术，具备出色的反向恢复特性、低导通损耗和高热导率，适用于各类对能效和功率密度要求严苛的电力电子系统。UR233L-50-AB3-C-R的额定电压为1200V，平均正向整流电流为33A，采用行业标准的TO-247封装，便于在现有电源模块中替换传统硅基二极管或升级系统性能。由于其无反向恢复电荷（Zero Recovery Charge）和极小的反向恢复电流，该器件可显著降低开关损耗，提升系统整体效率，减少电磁干扰（EMI），从而简化滤波设计。此外，该二极管可在高达175°C的结温下稳定运行，具备优异的热稳定性与长期可靠性，适合在工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）及高压直流电源等应用中使用。
类型：SiC肖特基二极管
反向重复电压（VRRM）：1200 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：33 A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：330 A
最大结温（Tj max）：175 °C
正向电压降（VF @ 25°C, IF=33A）：1.65 V
反向漏电流（IR @ 25°C, VR=1200V）：100 μA
反向漏电流（IR @ 125°C, VR=1200V）：1.5 mA
热阻结至外壳（RθJC）：1.2 °C/W
封装形式：TO-247-3
UR233L-50-AB3-C-R的核心优势在于其采用的碳化硅材料所带来的卓越电气性能。传统的硅基PIN二极管在高频开关过程中会产生显著的反向恢复电流和相关损耗，限制了系统效率的进一步提升，并导致更高的EMI和散热需求。而UR233L-50-AB3-C-R作为一款SiC肖特基二极管，从根本上消除了PN结的少数载流子存储效应，因而不具备反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），几乎不存在反向恢复电流尖峰。这一特性使其在与IGBT或SiC MOSFET配合使用时，能够大幅降低开关器件的开通损耗，提升整体转换效率，尤其在硬开关拓扑如Boost PFC、全桥LLC和三相逆变器中表现突出。
该器件在高温下的性能稳定性也极为出色。尽管正向压降随温度上升略有增加，但其反向漏电流的增长速率远低于同类硅器件。在125°C工作条件下，反向漏电流仅为1.5mA，确保在持续高负载工况下的可靠性。此外，1.2°C/W的低热阻结至外壳值意味着热量可以高效传导至散热器，支持更高功率密度的设计，减少对复杂冷却系统的依赖。TO-247封装具备良好的机械强度和电气绝缘能力，适用于高电压隔离要求的应用场景，并支持自动焊接工艺，提升生产一致性。
UR233L-50-AB3-C-R还具备出色的抗浪涌能力，峰值非重复浪涌电流可达330A，能够在短时过载或启动冲击条件下保持安全运行，增强系统鲁棒性。其稳定的高温工作能力和长寿命特性，使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。综合来看，该器件通过材料创新和结构优化，在效率、热管理、可靠性和系统成本之间实现了最佳平衡。
UR233L-50-AB3-C-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在工业电源领域，常用于大功率开关模式电源（SMPS）、服务器电源和电信整流器中的输出整流或PFC升压二极管，以提升能效并满足80 PLUS钛金等高能效标准。在可再生能源系统中，该器件被用于光伏逆变器的续流路径或DC-DC变换级，帮助实现更高的最大功率点跟踪（MPPT）效率和更低的系统损耗。在电动汽车基础设施方面，适用于车载充电机（OBC）和直流快充模块中的辅助整流电路，支持高频软开关拓扑，减小磁性元件体积。此外，在电机驱动系统如变频器和伺服驱动器中，UR233L-50-AB3-C-R可作为IGBT模块的反并联续流二极管，显著降低换流过程中的能量损耗和电压振荡，提高系统动态响应能力。其高可靠性也使其适用于不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中的双向功率转换电路，保障关键负载的持续供电。
UF3C33330K4S
GSU333B-E3-AVR
C4D33120D
