时间：2025/7/8 14:56:17
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TEVG15R0V24B2X 是一款由英飞凌（Infineon）推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263-3 (DPAK) 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
这款 MOSFET 的设计以低导通电阻和高效率为特点，能够有效降低传导损耗并提高系统性能。其工作电压高达 250V，使其非常适合高压应用环境。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：0.95Ω
栅极电荷：8nC
功耗：1.7W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
TEVG15R0V24B2X 具有以下显著特性：
1. 高电压承受能力，支持高达 250V 的漏源电压，适用于多种高压场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 25℃ 下典型值仅为 0.95Ω，可有效减少能量损耗。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg=8nC），有助于提升效率并降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能在 -55℃ 至 +175℃ 的宽结温范围内正常工作。
5. 采用 TO-263-3 封装，便于安装且散热性能优异。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心开关组件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业设备中的高压开关应用。
6. 家用电器及消费电子产品的电源管理模块。
IRF740,
STP12NM60,
FQP17N25,
IXTH15N250,
BSC019N25NS3
