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TEVG15R0V24B2X 发布时间 时间:2025/7/8 14:56:17 查看 阅读:12

TEVG15R0V24B2X 是一款由英飞凌(Infineon)推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263-3 (DPAK) 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
  这款 MOSFET 的设计以低导通电阻和高效率为特点,能够有效降低传导损耗并提高系统性能。其工作电压高达 250V,使其非常适合高压应用环境。

参数

最大漏源电压:250V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(典型值):0.95Ω
  栅极电荷:8nC
  功耗:1.7W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

TEVG15R0V24B2X 具有以下显著特性:
  1. 高电压承受能力,支持高达 250V 的漏源电压,适用于多种高压场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 25℃ 下典型值仅为 0.95Ω,可有效减少能量损耗。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg=8nC),有助于提升效率并降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能在 -55℃ 至 +175℃ 的宽结温范围内正常工作。
  5. 采用 TO-263-3 封装,便于安装且散热性能优异。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心开关组件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 工业设备中的高压开关应用。
  6. 家用电器及消费电子产品的电源管理模块。

替代型号

IRF740,
  STP12NM60,
  FQP17N25,
  IXTH15N250,
  BSC019N25NS3

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