TEVG15R0V24B2X 是一款由英飞凌(Infineon)推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263-3 (DPAK) 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
这款 MOSFET 的设计以低导通电阻和高效率为特点,能够有效降低传导损耗并提高系统性能。其工作电压高达 250V,使其非常适合高压应用环境。
最大漏源电压:250V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻(典型值):0.95Ω
栅极电荷:8nC
功耗:1.7W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
TEVG15R0V24B2X 具有以下显著特性:
1. 高电压承受能力,支持高达 250V 的漏源电压,适用于多种高压场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 25℃ 下典型值仅为 0.95Ω,可有效减少能量损耗。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg=8nC),有助于提升效率并降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能在 -55℃ 至 +175℃ 的宽结温范围内正常工作。
5. 采用 TO-263-3 封装,便于安装且散热性能优异。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该器件适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心开关组件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业设备中的高压开关应用。
6. 家用电器及消费电子产品的电源管理模块。
IRF740,
STP12NM60,
FQP17N25,
IXTH15N250,
BSC019N25NS3