时间：2025/9/3 14:39:38
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XHPM6B7E60D3 是东芝（Toshiba）公司推出的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于电源管理、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏-源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：300W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
XHPM6B7E60D3 MOSFET具备多项高性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅极结构，提供优异的开关性能，适用于高频操作。此外，XHPM6B7E60D3具有高耐用性和出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。其TO-247封装形式便于安装和散热，适用于各种工业和汽车应用。
此MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，确保在严苛工作条件下的可靠性。此外，其快速恢复二极管集成设计（如适用）可减少外部元件数量，简化电路设计并提高整体系统稳定性。
XHPM6B7E60D3 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、工业自动化设备以及各种高功率开关电源。由于其高可靠性和高性能，该器件也适用于要求严苛的汽车电子系统和工业控制系统。
TK80E60X, IRFP4468PBF, SiR862ADP
