UR132G-30-AE3-R 时间：2025/12/27 7:37:35 阅读：13

UR132G-30-AE3-R是一款由优源（Uyico）公司生产的贴片式瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于电路中的过电压保护。该器件采用SOD-123封装，具有体积小、响应速度快、可靠性高等特点，适用于各种便携式电子设备和精密电子电路中。UR132G-30-AE3-R的标称击穿电压为30V，能够在短时间内承受较大的浪涌电流，有效防止因静电放电（ESD）、雷击或开关噪声等引起的瞬态过电压对后级敏感元器件造成损害。该TVS二极管具备单向导通特性，正常工作时呈现高阻态，不影响原电路运行；当电压超过其击穿电压时迅速转入低阻状态，将过电压能量泄放到地，从而钳位电压在安全范围内。UR132G-30-AE3-R广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制模块以及电源管理单元中，作为关键的保护元件使用。其无铅环保设计符合RoHS指令要求，适合现代自动化贴片生产工艺。由于其优异的电气性能和稳定的制造工艺，该型号在同类产品中具有较高的性价比和市场认可度。

参数

型号：UR132G-30-AE3-R
　　封装：SOD-123
　　类型：单向TVS二极管
　　反向待机电压（VRWM）：26V
　　击穿电压（VBR）：最小30V，最大33.5V
　　钳位电压（VC）：48.4V @ Ipp = 1.9A
　　峰值脉冲功率（Ppk）：600W
　　测试电流（IT）：1mA
　　最大反向漏电流（IR）：≤5μA @ VRWM=26V
　　引线感抗（典型值）：约8nH
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

特性

UR132G-30-AE3-R具备出色的瞬态电压抑制能力，其核心特性之一是快速响应时间，通常小于1纳秒，能够在瞬态过电压发生的瞬间立即导通，将有害电压限制在安全水平，从而有效保护下游集成电路免受损坏。该器件采用半导体PN结结构，在反向电压未达到击穿阈值时表现为极高阻抗，几乎不消耗系统能量；一旦电压超过其规定的击穿电压范围（30~33.5V），则迅速进入雪崩击穿状态，形成低阻通路，将瞬态大电流引导至地。这种非线性伏安特性使其成为理想的过压保护解决方案。此外，该TVS二极管的600W峰值脉冲功率容量允许其吸收来自ESD事件（如IEC 61000-4-2 ±8kV接触放电）或感应雷击的能量，确保系统稳定性。SOD-123小型化封装不仅节省PCB空间，还便于高密度布局，并支持回流焊工艺，提升了生产效率与可靠性。该器件的漏电流极低（≤5μA），不会对静态功耗敏感的应用造成负担，适用于电池供电设备。其热稳定性良好，在-55℃至+150℃的工作结温范围内性能保持一致，适应严苛环境下的长期运行。同时，UR132G-30-AE3-R通过了多项国际安全认证，包括RoHS合规性，确保无铅、无卤素，满足现代绿色电子产品的环保要求。整体而言，该TVS二极管在响应速度、耐浪涌能力和封装集成度之间实现了良好平衡，是中低压直流电路中不可或缺的保护组件。
　　

应用

UR132G-30-AE3-R常用于各类需要瞬态过压防护的电子系统中。典型应用场景包括但不限于：便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的数据接口保护（如USB、HDMI、音频插孔等），防止人体静电或充电异常导致芯片损坏；工业控制系统的信号线路防护，例如RS-232、RS-485通信端口，抵御现场电磁干扰引发的电压尖峰；电源适配器输出端的二级保护，配合压敏电阻或保险丝使用，提升整体系统安全性；汽车电子中的低电压控制模块（如车窗控制、传感器接口），应对负载切换产生的电感反冲电压；以及智能家居设备、物联网终端节点等对可靠性和小型化有较高要求的领域。由于其单向结构设计，特别适合用于正电源轨的过压箝位，例如连接到3.3V或5V逻辑电路的供电路径上，防止反接或电源突波影响MCU、ADC、传感器等敏感元件。在高速信号线上，该TVS也因其极低电容（通常＜15pF）而不会显著影响信号完整性，兼顾保护功能与传输性能。此外，UR132G-30-AE3-R还可用于电池管理系统（BMS）中，为单节或多节锂电池组提供额外的电压监控与异常抑制手段，增强系统的故障容忍能力。总之，凡是存在瞬态干扰风险的低压直流电路，均可考虑采用该型号进行高效可靠的前端保护。