MH255ESN 时间：2025/6/19 15:47:29 阅读：1

MH255ESN是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关和低导通损耗的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效减少功耗并提升系统效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗(Ptot)：75W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-40℃至+150℃

特性

MH255ESN的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中显著降低功耗。
　　2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适合高频应用场景。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 较宽的工作电压范围和大电流处理能力，适用于多种功率电子设备。
　　5. 热稳定性强，能够在较高的环境温度下可靠运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。

应用

MH255ESN广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. LED照明驱动电路中的功率控制元件。
　　6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。