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IS43R86400F-6TL 发布时间 时间:2025/12/28 18:30:57 查看 阅读:28

IS43R86400F-6TL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗、CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于64Mbit的容量等级,采用同步接口设计。这款芯片采用的是Synchronous DRAM(SDRAM)架构,适用于需要较高数据吞吐量和快速访问速度的应用场景。该型号封装为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的系统中使用。IS43R86400F-6TL的工作频率可达166MHz,支持突发访问模式和自动刷新功能,适用于通信设备、工业控制、消费电子等多种应用场景。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:4M x 16
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54-pin
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  数据输出类型:同步
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  突发长度:1, 2, 4, 8, 或整页
  访问模式:突发模式
  工作模式:同步DRAM

特性

IS43R86400F-6TL具备多种特性,以确保其在高性能系统中的稳定性和可靠性。首先,它支持166MHz的高频率时钟输入,使得数据访问速度非常快,适用于需要高速缓存的应用场景。其同步接口设计允许与高速控制器无缝连接,减少延迟,提高系统整体性能。
  该芯片的TSOP封装设计不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适合在紧凑型嵌入式系统中使用。54引脚的封装形式也简化了PCB布线,降低了设计复杂度。此外,IS43R86400F-6TL采用低功耗CMOS工艺,在保证性能的同时,有效降低了工作功耗,适用于对功耗敏感的应用,如便携式设备或长时间运行的工业系统。
  其突发访问模式支持多种突发长度(包括1、2、4、8或整页),使得用户可以根据具体应用需求灵活选择访问方式,从而优化系统性能。该芯片还具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电或低功耗模式下仍能保持完整,延长了数据存储的可靠性。
  IS43R86400F-6TL的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于各种恶劣环境下的稳定运行。此外,该芯片支持多种数据宽度和存储配置,增强了其在不同系统架构中的兼容性和灵活性。

应用

IS43R86400F-6TL广泛应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。常见的应用领域包括网络设备、通信基站、工业控制设备、视频采集与处理系统、嵌入式系统以及消费类电子产品(如高端智能手机、平板电脑和智能电视)。由于其高速同步接口和大容量存储能力,它也常被用于图像处理、图形加速、缓冲存储以及需要临时存储大量数据的场景。

替代型号

IS42S16400F-6T, IS43R16400A-6T, MT48LC16M16A2B4-6A

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IS43R86400F-6TL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格324 : ¥27.82281散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SSTL_2
  • 时钟频率167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
  • 供应商器件封装66-TSOP II