UQCSVA560JAT2A500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种电力电子设备中。其封装形式为 TO-247,能够承受较高的电流和电压,适合工业级和汽车级应用。
型号:UQCSVA560JAT2A500
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):150A
最大脉冲漏极电流(Ip):300A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总栅极电荷(Qg):125nC
输入电容(Ciss):5800pF
开关时间(典型值):ton=95ns, toff=50ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
UQCSVA560JAT2A500 具备低导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。同时,其高开关速度使其非常适合高频开关应用。
该器件还具备出色的热稳定性和鲁棒性,能够在恶劣环境下可靠运行。此外,其大电流承载能力和高耐压能力使得它在电机驱动、DC/DC转换器和电源管理等场景下表现出色。
由于采用了优化的封装设计,该芯片可以有效地散热,从而进一步提升了长期使用的可靠性。
总体而言,这款功率 MOSFET 以其高效能、高可靠性和宽泛的工作温度范围成为许多高压大电流应用场景的理想选择。
UQCSVA560JAT2A500 主要应用于以下领域:
1. 工业电机驱动与控制
2. 高效 DC/DC 转换器
3. 不间断电源 (UPS)
4. 新能源汽车中的逆变器和车载充电器
5. 太阳能逆变器及风力发电系统
6. 各类高功率密度的开关电源解决方案
7. 照明系统的驱动电路
8. 其他需要处理高电流和高电压的电力电子设备
UQCSVA560JAT2A400, IRFP260N, FDP16N65B