时间：2025/8/28 9:56:14
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S26MD02 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽栅极和电场缓冲技术，能够在高电压和高电流条件下提供优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
S26MD02 MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的制造工艺，使其在高电压和高电流条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
此外，S26MD02具备高雪崩耐量，增强了器件在电压尖峰和瞬态条件下的可靠性。其坚固的结构设计和优良的散热性能，使其适用于高功率密度设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间驱动，确保快速开关并降低开关损耗。同时，S26MD02具有良好的抗短路能力，适用于电机控制、开关电源、逆变器等高要求的应用场景。
S26MD02广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备、照明系统以及电动汽车的功率管理系统中。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于需要高效能和高可靠性的家电产品，如变频空调和洗衣机等。
STW26NM60ND, STP16NM60ND, FQA16N60C, FDPF16N60
