UQCFVA820JAT2A500是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制程技术制造,具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著提高系统效率并降低热损耗。
这款功率MOSFET适用于要求严格的工业和汽车级应用环境,提供卓越的耐用性和可靠性。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计。
类型:N-Channel MOSFET
耐压(Vdss):820V
导通电阻(Rds(on)):0.4Ω(典型值,Vgs=10V)
连续漏极电流(Id):2A
栅极电荷(Qg):35nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263
UQCFVA820JAT2A500的主要特点是高电压承受能力与较低的导通电阻相结合,确保了在高压条件下也能维持高效的功率转换。
1. 高耐压:820V的额定电压使其非常适合高压应用场合,例如开关电源和逆变器。
2. 低导通电阻:0.4Ω的典型导通电阻降低了导通损耗,提高了整体效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和较短的开关时间有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围:从-55°C到+175°C的工作温度范围,适应极端环境条件。
5. 紧凑型封装:TO-263封装简化了PCB设计,并增强了散热性能。
该款MOSFET适用于以下应用场景:
- 开关模式电源(SMPS)中的功率开关
- 电动工具及家用电器中的电机驱动
- 汽车电子中的负载开关和保护电路
- 工业自动化设备中的继电器替代方案
- LED照明系统的恒流控制
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
UQCFVA820JAQ2A500
FDP8200
IRFB4110TRPBF