工作频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：38 dBm（典型值）
　　增益：30 dB（典型值）
　　电源电压：28 V
　　电流消耗：800 mA（典型值）
　　封装类型：T/R模块，表面贴装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QM77038ATR13 IC是一款专为高性能射频功率放大应用设计的集成电路。该芯片采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，具有出色的线性度和高功率输出能力，适用于各种现代通信系统。
　　首先，QM77038ATR13 IC的工作频率范围为1.8 GHz至2.2 GHz，覆盖了多个重要的无线通信频段，例如4G LTE、WiMAX和专网通信系统。这种宽频带特性使得该芯片能够在多种应用中灵活使用，满足不同系统的射频放大需求。
　　其次，该芯片的典型输出功率可达38 dBm，提供较高的射频输出能力，适合需要高功率放大的应用场景。同时，其典型增益为30 dB，确保了良好的信号放大性能，减少了前级放大器的负担，从而优化了整个系统的性能。
　　在电源方面，QM77038ATR13 IC工作在28 V电源电压下，典型电流消耗为800 mA。这种高电压供电方式有助于提高功率放大器的效率，并减少功率损耗，提升整体系统的能效表现。此外，该芯片具有较高的热稳定性和可靠性，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣的环境条件。
　　该芯片采用T/R（发射/接收）模块封装，支持表面贴装工艺，便于集成到现代通信设备中。这种封装形式不仅提高了安装的便利性，还增强了芯片的机械稳定性和散热性能，确保在高功率工作状态下的长期可靠性。
　　此外，QM77038ATR13 IC具备优异的线性度和低失真特性，这对于现代通信系统中的高数据率传输至关重要。良好的线性度可以有效减少信号失真，提高信号质量，满足严格的通信标准要求。

QM77038ATR13 IC主要应用于无线通信基站、微波通信设备、测试仪器以及军事和航空航天领域的射频功率放大系统。由于其高功率输出和宽频率范围，该芯片在4G/5G移动通信网络、点对点微波链路和专网通信系统中表现出色。

QM77038CTR13